參數(shù)資料
型號： FQD3P20
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 200V P-Channel MOSFET
中文描述： 2.4 A, 200 V, 2.7 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： DPAK-3
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大?。?/td> 549K
代理商： FQD3P20
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A, April 2000
Gate Charge Test Circuit & Waveform
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
Charge
V
GS
-10V
Q
g
Q
gs
Q
gd
-3mA
V
GS
DUT
V
DS
300nF
50K
200nF
12V
as DUT
Same Type
V
DS
V
GS
10%
90%
t
d(on)
t
r
t
on
t
off
t
d(off)
t
f
V
DD
-10V
V
DS
R
L
DUT
R
G
V
GS
E
AS
=
LI
AS2
-1
2
BV
DSS
- V
DD
BV
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
p
V
DD
I
AS
V
DS
(t)
I
D
(t)
Time
-10V
DUT
R
G
L
I
D
t
p
-1
----
--------------------
相關PDF資料
PDF描述
FQU3P20 200V P-Channel MOSFET
FQD3P50 500V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-500V、漏電流為2.1A的P溝道增強型MOS場效應管)
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FQD45N03L N-Channel Logic Level PWM Optimized Power MOSFET
FQD4N20L 200V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V、漏電流為3.2A的邏輯N溝道增強型MOS場效應管)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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FQD3P20TM 功能描述:MOSFET P-CH/200V/2.4A/2.7OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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FQD3P50TF 功能描述:MOSFET 500V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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