| 型號： | FQD1N60CTM |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件頁數： | 1/9頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 1A DPAK |
| 產品培訓模塊： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 標準包裝： | 1 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點： | 標準 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 600V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 1A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11.5 歐姆 @ 500mA，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 6.2nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 170pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 |
| 供應商設備封裝： | TO-252-3 |
| 包裝： | 標準包裝 |
| 其它名稱： | FQD1N60CTMDKR |