參數(shù)資料
型號： FQD17N08
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： GIGATRUE 550 CAT6 PATCH 30 FT, NON BOOT, WHITE
中文描述： 12.9 A, 80 V, 0.115 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： DPAK-3
文件頁數(shù)： 7/9頁
文件大小： 595K
代理商： FQD17N08
2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A1, January 2001
F
Package Dimensions
6.60
±
0.20
2.30
±
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2.30TYP
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MAX0.96
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(0.50)
(0.50)
DPAK
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQU17N08 80V N-Channel MOSFET
FQD17P06 60V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-60V、漏電流為-12A的P溝道增強型MOS場效應管)
FQU17P06 60V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-60V、漏電流為-12A的P溝道增強型MOS場效應管)
FQD18N20V2 200V N-Channel MOSFET
FQU18N20V2 200V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQD17N08L 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:80V LOGIC N-Channel MOSFET
FQD17N08LTF 功能描述:MOSFET 80V N-Channel QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD17N08LTM 功能描述:MOSFET 80V N-Channel QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD17N08TF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD17N08TM 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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