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    參數(shù)資料
    

    


    


    
型號(hào)：
FQB55N10TM

    

    
廠商：
Fairchild Semiconductor

    

    
文件頁數(shù)：
4/8頁

    

    
文件大?。?/td>
0K

    

    
描述：
MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK

    

    
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊：
High Voltage Switches for Power Processing
    		

    

    
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1

    

    
系列：
QFET™

    

    
FET 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物
    		

    

    
FET 特點(diǎn)：
標(biāo)準(zhǔn)
    		

    

    
漏極至源極電壓(Vdss)：
100V
    		

    

    
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：
55A
    		

    

    
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：
26 毫歐 @ 27.5A，10V
    		

    

    
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA
    		

    

    
閘電荷(Qg) @ Vgs：
98nC @ 10V
    		

    

    
輸入電容 (Ciss) @ Vds：
2730pF @ 25V
    		

    

    
功率 - 最大：
3.75W
    		

    

    
安裝類型：
表面貼裝
    		

    

    
封裝/外殼：
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
    		

    

    
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
D²PAK
    		

    

    
包裝：
標(biāo)準(zhǔn)包裝

    

    
產(chǎn)品目錄頁面：
1606 (CN2011-ZH PDF)
    		

    

    
其它名稱：
FQB55N10TMDKR