| 型號: | FQB4N60 | 
| 廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP | 
| 元件分類: | JFETs | 
| 英文描述: | 600V N-Channel MOSFET(漏源電壓為600V的N溝道增強型MOSFET) | 
| 中文描述: | 4.4 A, 600 V, 2.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263 | 
| 封裝: | D2PAK-3 | 
| 文件頁數(shù): | 9/9頁 | 
| 文件大?。?/td> | 539K | 
| 代理商: | FQB4N60 | 

相關PDF資料  | 
PDF描述  | 
|---|---|
| FQI4N60 | 600V N-Channel MOSFET | 
| FQB4N80 | 800V N-Channel MOSFET | 
| FQI4N80 | 800V N-Channel MOSFET | 
| FQB4N90 | 900V N-Channel MOSFET | 
| FQI4N90 | 900V N-Channel MOSFET | 
相關代理商/技術參數(shù)  | 
參數(shù)描述  | 
|---|---|
| FQB4N60TM | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube | 
| FQB4N80 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:800V N-Channel MOSFET | 
| FQB4N80TM | 功能描述:MOSFET 800V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube | 
| FQB4N90 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:900V N-Channel MOSFET | 
| FQB4N90TM | 功能描述:MOSFET 900V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |