參數(shù)資料
型號: FQB19N20L
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 200V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的邏輯N溝道增強型MOS場效應管)
中文描述: 21 A, 200 V, 0.14 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝: ROHS COMPLIANT, D2PAK-3
文件頁數(shù): 2/9頁
文件大?。?/td> 749K
代理商: FQB19N20L
"!"!"!"
!"#$%#&##'(#
)*+#,-
-
.1
"!"
5%6 #
./
*/
,
0
0
**.1
μ
/
2/
**
μ
3%(%(
4
"#
F*
F*
$
F>*
*
,)*5
,&7)
μ
(
&))
*
F>*
5 ,&7)
μ
(+&78
) 'E
*$8
5
G;*
*
,&))**
,)*
'
μ
(
μ
(
*
,'E)*
,'&78
')
5
;F/>
*
,&)**
,)*
'))
(
5
;F/>+!
*
,&)**
,)*
'))
(
*
;*
*
,*
5
,&7)
μ
(
' )
& )
*
+
+
*
,')*5
,') 7(
*
,7*5
,') 7(
) ''
) '&
) '-
) '7
*
,3)*5
,') 7(
': 7
5
*
,' )H#
,&7**
,)*
'1))
&&))
&&)
&D)
+!
3)
-)
*
+ ,&7
,'))*5
,&'(
37
:)
+
3))
E')
'3)
&1)
':)
31)
I
;
*
*
,'E)*5
,7*
,&'(
&1
37
I
;
7 :
I
;
'' &
5
B
&'
(
5
B9
:-
(
*
*
*
,)*5
,&'(
' 7
*
+!+!
*
5
,)*5
$,'))($
,&'(
μ
'-)
I
+!+!
) EE
μ
相關PDF資料
PDF描述
FQI19N20L 200V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的邏輯N溝道增強型MOS場效應管)
FQB19N20 200V N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的N溝道增強型MOS場效應管)
FQI19N20 200V N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的N溝道增強型MOS場效應管)
FQB1P50 500V P-Channel MOSFET(漏源電壓為500V的P溝道增強型MOS場效應管)
FQB22P10 100V P-Channel MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
FQB19N20LTM 功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB19N20TM 功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB1N60 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V N-Channel MOSFET
FQB1N60TM 功能描述:MOSFET 600V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB1P50 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V P-Channel MOSFET