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參數(shù)資料
| 型號： | FQA170N06 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 60V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 170 A, 60 V, 0.0056 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | TO-3PN, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 650K |
| 代理商： | FQA170N06 |
F
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1. May 2001
0.2
0.4
0.6
V
SD
, Source-Drain Voltage [V]
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
10
-1
10
0
10
1
10
2
25
℃
175
℃
※
Notes :
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s Pulse Test
I
D
0
200
400
600
800
3
4
5
6
7
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
※
Note : T
J
= 25
℃
R
D
Ω
D
I
D
, Drain Current [A]
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
10
1
10
2
※
Notes :
1. V
DS
= 30V
2. 250
μ
s Pulse Test
-55
℃
175
℃
25
℃
I
D
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
10
1
10
2
V
GS
Top : 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
Bottom : 4.5 V
※
Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
℃
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
40
80
120
160
200
240
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 30V
V
DS
= 48V
※
Note : I
D
= 170A
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
10
-1
10
0
10
1
0
4000
8000
12000
16000
20000
24000
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
※
Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
Typical Characteristics
Figure 5. Capacitance Characteristics.
Figure 6. Gate -Charge Characteristics.
Figure 3. On-Resistance Variation vs
Drain Current and Gate Voltage.
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
Figure 2. Transfer Characteristics.
Figure 1. On-Region Characteristics.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQA17N40 | 400V N-CHANNEL MOSFET |
| FQA17P10 | 100V P-Channel MOSFET(漏源電壓為100V的P溝道增強型MOSFET) |
| FQA18N50V | 500V N-Channel MOSFET |
| FQA18N50V2 | 500V N-Channel MOSFET |
| FQA19N20C | 200V N-Channel MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FQA170N06 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N TO-3P |
| FQA170N06 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSITOR |
| FQA17N40 | 功能描述:MOSFET 400V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQA17P10 | 功能描述:MOSFET 100V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQA18N50V | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET |
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