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參數(shù)資料
| 型號： | FPBL10SH60 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 運動控制電子 |
| 英文描述： | 16 Characters x 4 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor |
| 中文描述： | AC MOTOR CONTROLLER, 20 A, XMA30 |
| 文件頁數(shù)： | 5/17頁 |
| 文件大?。?/td> | 295K |
| 代理商： | FPBL10SH60 |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Rev. B1, February 2002
Fig. 4. T
c
Measurement Point
V
COM
(L)
IN
(UL)
IN
(VL)
IN
(WL)
V
FO
C
FOD
C
SC
R
SC
NC
NC
NC
W
V
U
N
P
V
S(U)
V
B(U)
V
CC(UH)
IN
(UH)
V
S(V)
V
B(V)
V
CC(VH)
IN
COM
(H)
V
S(W)
V
B(W)
V
CC(WH)
IN
(WH)
Case Temperature (T
C
) Detecting Point
Ceramic
Substate
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FPBL15SH60 | Smart Power Module (SPM) |
| FPBL15SM60 | Smart Power Module (SPM) |
| FPBL15SL60 | Smart Power Module (SPM) |
| FPBL20SL60 | Smart Power Module (SPM) |
| FPBL20SM60 | Smart Power Module (SPM) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FPBL15SH60 | 功能描述:IGBT 晶體管 600V/15A/IPM/NO RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FPBL15SL60 | 功能描述:IGBT 晶體管 600V/15A/SPM RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FPBL15SM60 | 功能描述:IGBT 晶體管 600V/15A/SPM RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FPBL20SL60 | 功能描述:IGBT 晶體管 600V/20A/SPM RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FPBL20SM60 | 功能描述:IGBT 晶體管 600V/20A/SPM RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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