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參數(shù)資料
| 型號： | FP50F |
| 廠商： | VOLTAGE MULTIPLIERS INC |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | High Voltage Rectifier Stacks |
| 中文描述： | 2.2 A, 5000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 74K |
| 代理商： | FP50F |
31
www.voltagemultipliers.com
www.highvoltagepowersupplies.com
Dimensions: In. (mm) All temperatures are ambient unless otherwise noted. Data subject to change without notice.
TEL.
FAX
559-651-1402
559-651-0740
VOLTAGE MULTIPLIERS INC.
8711 W. Roosevelt Ave.
Visalia, CA 93291
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High Voltage Rectifier Stacks
0.5A - 2.2A 70ns - 150ns Axial Leaded
ELECTRICAL CHARACTERISTICS AND MAXIMUM RATINGS
(1)Trr Testing: If=0.5mA, Ir=1.0A, Irr=0.25A *Op. Temp.= -55°C to +150°C Stg. Temp.= -55°C to +150°C
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FP75F | High Voltage Rectifier Stacks |
| FP100S | 2,500 V - 10,000 V Rectifier Stacks 2.2 A Forward Current 3000 ns Recovery Time |
| FP25S | 2,500 V - 10,000 V Rectifier Stacks 2.2 A Forward Current 3000 ns Recovery Time |
| FP50S | 2,500 V - 10,000 V Rectifier Stacks 2.2 A Forward Current 3000 ns Recovery Time |
| FP75S | 2,500 V - 10,000 V Rectifier Stacks 2.2 A Forward Current 3000 ns Recovery Time |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FP50N06L | 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:50A, 60V, 0.022 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs |
| FP50R06KE3 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 60A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FP50R06KE3G | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 60A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FP50R06W2E3 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 600V 50A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FP50R06W2E3_B11 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 600V 50A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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