參數(shù)資料
型號： FMY4A
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： Power management (dual transistors)
中文描述： 電源管理（）雙晶體管
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大小： 74K
代理商： FMY4A
EMZ2 / UMZ2N / FMY4A / IMZ2A
Transistors
!
Electrical characteristics
(Ta=25
°
C)
2/2
Tr
1
Parameter
Symbol
BV
CBO
Min.
60
Typ.
Max.
Unit
V
Conditions
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
h
FE
f
T
Cob
BV
CEO
50
6
120
0.1
0.1
0.5
560
5
V
V
μ
A
μ
A
V
MHz
pF
I
C
=
1mA
I
E
=
50
μ
A
V
CB
=
60V
V
EB
=
6V
I
C
/I
B
=
50mA/
5mA
V
CE
=
6V , I
C
=
1mA
V
CE
=
12V , I
E
= 2mA , f = 100MHz
V
CB
=
12V , I
E
= 0A , f = 1MHz
I
C
=
50
μ
A
140
4
Tr
2
Parameter
Symbol
BV
CBO
Min.
60
Typ.
Max.
Unit
V
Conditions
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
h
FE
f
T
Cob
BV
CEO
50
7
120
0.1
0.1
0.4
560
3.5
V
V
μ
A
μ
A
V
MHz
pF
I
C
= 1mA
I
E
= 50
μ
A
V
CB
= 60V
V
EB
= 7V
I
C
/I
B
= 50mA/5mA
V
CE
= 6V , I
C
= 1mA
V
CE
= 12V , I
E
=
2mA , f = 100MHz
V
CB
= 12V , I
E
= 0A , f = 1MHz
I
C
= 50
μ
A
180
2
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current
transfer ratio
Transition frequency
Output capacitance
Transition frequency of the device.
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current
transfer ratio
Transition frequency
Output capacitance
Transition frequency of the device.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FMY5 General purpose (dual transistors)
FMY6 General purpose (dual transistors)
FN1A3Q MEDIUM SPEED SWITCHING RESISTOR BUILT-IN TYPE PNP TRANSISTOR MINI MOLD
FN1A4M MEDIUM SPEED SWITCHING RESISTOR BUILT-IN TYPE PNP TRANSISTOR MINI MOLD
FN1A4P MEDIUM SPEED SWITCHING RESISTOR BUILT-IN TYPE PNP TRANSISTOR MINI MOLD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FMY4AT148 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN/PNP 50V 150MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FMY4A-T148 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR
FMY5 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:General purpose (dual transistors)
FMY5T148 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN/PNP 120V 50MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FMY6 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:GENERAL PURPOSE ( DUAL TRANSISTORS)
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*