- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄382963 > FMY1A (Rohm CO.,LTD.) Emitter common (dual transistors) PDF資料下載
參數資料
| 型號： | FMY1A |
| 廠商： | Rohm CO.,LTD. |
| 英文描述： | Emitter common (dual transistors) |
| 中文描述： | 發(fā)射極常見（雙晶體管） |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 98K |
| 代理商： | FMY1A |
EMY1 / UMY1N / FMY1A
Transistors
Emitter common (dual transistors)
EMY1 / UMY1N / FMY1A
!
Features
1) Includes a 2SA1037AK and a 2SC2412K transistor in
a EMT or UMT or SMT package.
2) PNP and NPN transistors have common emitters.
3) Mounting cost and area can be cut in half.
!
Structure
Epitaxial planar type
PNP / NPN silicon transistor
!
Equivalent circuit
EMY1 / UMY1N
FMY1A
R
1
Tr
1
Tr
2
(3)
(4)
(5)
(2)
(1)
Tr
1
Tr
2
(3)
(2)
(1)
(4)
(5)/(6)
!
Absolute maximum ratings
(Ta = 25
°
C)
Parameter
Symbol
Limits
Tr
1
Tr
2
V
CBO
60
50
V
CEO
V
EBO
7
I
C
150
60
50
6
150
Tj
150
Tstg
55
～+
150
P
C
EMY1, UMY1N
150 (TOTAL)
Unit
V
V
V
mA
°
C
°
C
mW
FMY1A
300 (TOTAL)
1
2
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Junction temperature
Storage temperature
1 120mW per element must not be exceeded.
2 200mW per element must not be exceeded.
Power
dissipation
!
External dimensions
(Units : mm)
ROHM : EMT5
EMY1
ROHM : UMT5
EIAJ : SC-88A
UMY1N
Each lead has same dimensions
Each lead has same dimensions
0
1
0
0.3to0.6
0
1.6
2.8
2
0
1
(
(
(
0
(
0
(
Abbreviated symbol : Y1
Abbreviated symbol : Y1
Abbreviated symbol : Y1
ROHM : SMT5
EIAJ : SC-74A
FMY1A
0
1.2
1.6
(1)
(2)
(3)
(5)
(4)
0
0
0
0
1
1
Each lead has same dimensions
0
0
0
0.1Min.
0
2.1
1
0
0
2
(
(
(
0
1.25
(
(
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMY3A | Power Management(Dual Transistors)(電源管理(雙數字晶體管)) |
| FMY4A | Power management (dual transistors) |
| FMY5 | General purpose (dual transistors) |
| FMY6 | General purpose (dual transistors) |
| FN1A3Q | MEDIUM SPEED SWITCHING RESISTOR BUILT-IN TYPE PNP TRANSISTOR MINI MOLD |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FMY1AT148 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN/PNP 50V 150MA SMT5 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FMY-2206S | 制造商:SANKEN 制造商全稱:Sanken electric 功能描述:Silicon Diode |
| FMY3A | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Power Management(Dual Transistors) |
| FMY4A | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Power management (dual transistors) |
| FMY4AT148 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN/PNP 50V 150MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。