參數(shù)資料
型號： FMS6690MTC20X
廠商： Fairchild Semiconductor
文件頁數(shù)： 7/11頁
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描述： IC VIDEO FILTER DRVR 6CH 20TSSOP
標準包裝： 1
類型： 視頻濾波器
應用： 錄音機，機頂盒
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
供應商設備封裝： 20-TSSOP
包裝： 標準包裝
產(chǎn)品目錄頁面： 1214 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱： FMS6690MTC20XDKR
2006 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
FMS6690 Rev. 1.0.3
5
FM
S6690
—
Six
C
h
annel,
6
th
Order,
SD/PS/HD
Video
Filt
er
Driver
Standard-Definition Electrical Characteristics
Unless otherwise noted, TA=25°C, VIN=1VPP, VCC=5V, all inputs AC coupled with 0.1F, all outputs AC coupled with
220F into 150
Ω loads, referenced to 400kHz.
Symbol
Parameter
Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
AVSD
Channel Gain
(2)
All SD Channels
5.6
6.0
6.4
dB
f1dBSD
-1dB Flatness
(2)
All SD Channels
5.20
7.15
MHz
fcSD
-3dB Bandwidth
(2)
All SD Channels
6.5
8.0
MHz
fSBSD
Attenuation (Stopband Reject)
(2)
All SD Channels at f=27MHz
43
50
dB
DG
Differential Gain
All SD Channels
0.7
%
DP
Differential Phase
All SD Channels
1.0
°
THD
Distortion, Output
VOUT=1.4VPP, 3.58MHz
0.35
%
XTALKSD
Crosstalk (Ch-to-Ch)
at 1MHz
-54
dB
SNR
Signal-to-Noise Ratio
(3)
NTC-7 Weighting, 100kHz to 4.2MHz
72
dB
tpdSD
Propagation Delay
Delay from Input to Output, 4.5MHz
90
ns
Notes:
2.
100% tested at 25°C.
3.
SNR=20 log (714mV / rms noise).
Progressive Scan Electrical Characteristics
Unless otherwise noted, TA=25°C, VIN=1VPP, VCC=3.3V, RSOURCE=37.5Ω, all inputs AC coupled with 0.1F, all outputs
AC coupled with 220F into 150
Ω loads, referenced to 400kHz.
Symbol
Parameter
Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
AVPS
Channel Gain
(4)
All PS Channels
5.6
6.0
6.4
dB
f1dBSD
-1dB Flatness
(4)
All PS Channels
12
14
MHz
fcPS
-3dB Bandwidth
(4)
All PS Channels
13
16
MHz
fSBSD
Attenuation (Stopband Reject)
(4)
All PS Channels at f=54MHz
37
45
dB
THD
Total Harmonic Distortion,
Output (All PS Channels)
VOUT=1.4VPP, 7MHz
0.35
%
XTALKPS
Crosstalk (Ch-to-Ch)
at 1MHz
-53
dB
SNR
Signal-to-Noise Ratio
(5)
Unweighted, 100kHz to 15MHz
66
dB
tpdSD
Propagation Delay
Delay from Input to Output
47
ns
Notes:
4.
100% tested at 25°C.
5.
SNR=20 log (714mV / rms noise).
High-Definition Electrical Characteristics
Unless otherwise noted, TA=25°C, VIN=1VPP, VCC=5V, RSOURCE=37.5Ω, all inputs AC coupled with 0.1F, all outputs
AC coupled with 220F into 150
Ω loads, referenced to 400kHz.
Symbol
Parameter
Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
AVHD
Channel Gain
(6)
All HD Channels
5.6
6.0
6.4
dB
f1dBHD
-1dB Flatness
(6)
All HD Channels
28
31
MHz
fcHD
-3dB Bandwidth
(6)
All HD Channels
30
34
MHz
fSBHD
Attenuation (Stopband Reject)
(6)
All HD Channels at f=74.25MHz
30
41
dB
THD
Output Distortion,(All PS Channels) VOUT=1.4VPP, 22MHz
0.9
%
XTALKHD
Crosstalk (Ch-to-Ch)
at 1MHz
-54
dB
SNR
Signal-to-Noise Ratio
(7)
Unweighted, 100kHz to 30MHz
60
dB
tpdHD
Propagation Delay
Delay from Input to Output
25
ns
Notes:
6.
100% tested at 25°C.
7.
SNR=20 log (714mV / rms noise).
相關PDF資料
PDF描述
VE-BWM-IV-F4 CONVERTER MOD DC/DC 10V 150W
FMS6346MTC20X IC DRIVER VIDEO FLTR 6CH 20TSSOP
VE-BWM-IV-F3 CONVERTER MOD DC/DC 10V 150W
MAX3223ECAP+ IC TXRX RS232 250KBPS SD 20SSOP
VE-BWM-IV-F1 CONVERTER MOD DC/DC 10V 150W
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
FMS6G10US60 功能描述:IGBT 模塊 600V 10A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMS6G10US60S 功能描述:IGBT 模塊 600V 10A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMS6G15US60 功能描述:IGBT 模塊 600V 15A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMS6G15US60S 功能描述:IGBT 模塊 600V 15A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMS6G20US60 功能描述:IGBT 模塊 IGBT Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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