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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FMMTA43 |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | SOT23 NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTORS |
| 中文描述： | 200 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 40K |
| 代理商： | FMMTA43 |
SOT23 NPN SILICON PLANAR
HIGH VOLTAGE TRANSISTORS
ISSUE 4 – MARCH 2001
PARTMARKING DETAIL –
FMMTA42 – 3E
FMMTA42R –
7E
COMPLEMENTARY TYPES – FMMTA42 – FMMTA92
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
FMMTA42
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
300
V
Collector-Emitter Voltage
300
V
Emitter-Base Voltage
5
V
Continuous Collector Current
200
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
330
mW
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
300
200
V
I
C
=100
μ
A, I
E
=0
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
300
200
V
I
C
=1mA, I
B
=0*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
6
6
V
I
E
=100
μ
A, I
C
=0
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
0.1
0.1
μ
A
μ
A
V
CB
=200V, I
E
=0
V
CB
=160V, I
E
=0
Emitter Cut-Off
Current
I
EBO
0.1
0.1
μ
A
μ
A
V
EB
=6V, I
C
=0
V
EB
=4V, I
C
=0
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
0.5
0.4
V
I
C
=20mA, I
B
=2mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
0.9
0.9
V
I
C
=20mA, I
B
=2mA*
Static Forward
Current Transfer
Ratio
h
FE
25
40
40
25
40
50
200
I
C
=1mA, V
CE
=10V*
I
C
=10mA, V
CE
=10V*
I
C
=30mA, V
CE
=10V*
Transition
Frequency
f
T
50
50
MHz
I
=10mA, V
CE
=20V
f=20MHz
Output Capacitance
C
obo
6
8
pF
V
CB
=20V, f=1MHz
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
FMMTA42
C
B
E
SOT23
TBA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMMTA55 | SOT23 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
| FMMTA56R | SOT23 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
| FMMTA56R-MB | SOT23 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
| FMMTA55R | SOT23 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
| FMMTA56 | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FMMTA43R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-23 |
| FMMTA43TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FMMTA43TC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FMMTA44 | 制造商:FCI 制造商全稱:First Components International 功能描述:NPN EPITAXIAL TRANSISTOR Junction Temperature Tj 150 |
| FMMTA55 | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:SOT23 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
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