參數(shù)資料
型號(hào)： FMMT734
廠(chǎng)商： ZETEX PLC
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR
中文描述： 800 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大?。?/td> 74K
代理商： FMMT734
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX. UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
-100
-130
V
I
C
=-100
μ
A
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
-100
-116
V
I
C
=-5mA*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
-12
-17
V
I
E
=-100
μ
A
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
-10
nA
V
CB
=-80V
Emitter Cut-Off
Current
I
EBO
-10
nA
V
EB
=-7V
Collector Emitter
Cut-Off Current
I
CES
-200
nA
V
CES
=-80V
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
-0.68
-0.72
-0.78
-0.86
-0.72
-0.90
-0.75
-0.80
-0.86
-0.97
—
-1.05
V
V
V
V
V
V
I
C
=-100mA, I
B
=-1mA*
I
C
=-250mA,I
B
=-1mA*
I
C
=-500mA, I
B
=-5mA*
I
C
=-800mA, I
B
=-5mA*
I
C
=-800mA, I
=-5mA *
I
C
=-1A, I
B
=-5mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
-1.60
-1.75
V
I
C
=-1A, I
B
=-5mA*
Base-Emitter
Turn-On Voltage
V
BE(on)
-1.30
-1.75
V
I
C
=-1A, V
CE
=-5V*
Static Forward
Current Transfer
Ratio
h
FE
20K
15K
5K
60K
60K
50K
15K
150
20K
I
C
=-10mA, V
CE
=-5V*
I
C
=-100mA, V
=-5V*
I
C
=-1A, V
CE
=-5V*
I
C
=-2A, V
CE
=-5V*
I
C
=-5A, V
CE
=-5V*
I
C
=-1A, V
CE
=-2V*
Transition
Frequency
f
T
140
MHz
I
=-10mA, V
CE
=-10V
f=100MHz
Output Capacitance C
obo
14
25
pF
V
CB
=-10V, f=1MHz
Turn-On Time
t
(on)
460
ns
I
C
=-500mA, V
CC
=-20V
I
B
=
±
1mA
Turn-Off Time
t
(off)
1200
ns
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
T
amb
=150°C
FMMT734
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FMMT918 RES 5K-OHM 0.1% 0.063W 50PPM THIN-FILM SMD-0402 TR-7-PA ROHS
FMMTA06 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
FMMTA12 NPN SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTORS
FMMTA13 NPN SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTORS
FMMTA14 NPN SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTORS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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FMMT734TC 功能描述:達(dá)林頓晶體管 PNP Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
FMMT918 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR NPN RF SOT-23
FMMT918 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR NPN RF SOT-23
FMMT918TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RF RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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