參數(shù)資料
型號： FMMT624
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTORS
中文描述： 1000 mA, 125 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SUPERSOT-3
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 308K
代理商： FMMT624
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
FMMT624
FMMT625
UNIT
CONDITIONS.
MIN.
TYP.
MAX. MIN.
TYP.
MAX.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
125
250
150
300
V
I
C
=100
μ
A
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
125
160
150
175
V
I
C
=10mA*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
5
8.3
5
8.3
V
I
E
=100
μ
A
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
100
100
nA
nA
V
CB
=100V
V
CB
=130V
Emitter Cut-Off
Current
I
EBO
100
100
nA
V
EB
=4V
Collector Emitter
Cut-Off Current
I
CES
100
100
nA
nA
V
CES
=100V
V
CES
=130V
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(SAT)
26
70
160
165
50
150
220
250
26
110
180
50
200
300
mV
mV
mV
mV
mV
I
C
=0.1A, I
B
=10mA*
I
C
=0.1A, I
B
=1mA*
I
C
=0.5A, I
B
=50mA*
I
C
=0.5A, I
B
=10mA*
I
C
=1A, I
B
=50mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(SAT)
0.85
1.0
0.85
1.0
V
I
C
=1A, I
B
=50mA*
Base-Emitter
Turn-On Voltage
V
BE(ON)
0.7
1.0
0.74
1.0
V
I
C
=1A, V
CE
=10V*
Static Forward
Current Transfer
Ratio
h
FE
200
300
100
400
450
140
18
200
300
30
400
450
45
15
I
C
=10mA, V
CE
=10V*
I
C
=0.2A, V
CE
=10V*
I
C
=1A, V
CE
=10V*
I
C
=3A, V
CE
=10V*
Transition
Frequency
f
T
100
155
100
135
MHz
I
C
=50mA, V
CE
=10V
f=100MHz
Output Capacitance
C
OBO
7
15
6
10
pF
V
CB
=10V, f=1MHz
Turn-On Time
t
(ON)
60
160
ns
V
CC
=50V, I
C
=0.5A
I
B1
=-I
B2
=50mA
Turn-Off Time
t
(OFF)
1300
1500
ns
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
FMMT624
FMMT625
3 - 155
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FMMT625 NPN SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTORS
FMMT620 SuperSOT 80V NPN SILICON LOW SATURATION TRANSISTOR
FMMT620TA SuperSOT 80V NPN SILICON LOW SATURATION TRANSISTOR
FMMT620TC SuperSOT 80V NPN SILICON LOW SATURATION TRANSISTOR
FMMT634 NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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