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參數(shù)資料
| 型號： | FMMT620 |
| 廠商： | Zetex Semiconductor |
| 英文描述： | SuperSOT 80V NPN SILICON LOW SATURATION TRANSISTOR |
| 中文描述： | 的SuperSOT 80V的NPN硅低飽和晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大小： | 294K |
| 代理商： | FMMT620 |
ISSUE 1 - JANUARY 2001
FMMT620
4
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)CBO
100
180
V
I
C
=100 A
Collector-Emitter Breakdown
Voltage
V
(BR)CEO
80
110
V
I
C
=10mA*
Emitter-Base Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
7
8
V
I
E
=100 A
Collector Cut-Off Current
I
CBO
100
nA
V
CB
=80V
Emitter Cut-Off Current
I
EBO
100
nA
V
EB
=5.5V
Collector Emitter Cut-Off Current
I
CES
100
nA
V
CES
=80V
Collector-Emitter Saturation
Voltage
V
CE(sat)
15
45
145
160
20
60
185
200
mV
mV
mV
mV
I
C
=0.1A, I
B
=10mA*
I
C
=0.5A, I
=50mA*
I
C
=1A, I
B
=20mA*
I
C
=1.5A, I
B
=50mA*
Base-Emitter Saturation Voltage
V
BE(sat)
0.86
1.0
V
I
C
=1.5A, I
B
=50mA*
Base-Emitter Turn-On Voltage
V
BE(on)
0.82
0.95
V
I
C
=1.5A, V
CE
=2V*
Static Forward Current Transfer
Ratio
h
FE
200
300
110
60
20
450
450
170
90
30
10
900
I
C
=10mA, V
CE
=2V*
I
C
=200mA, V
=2V*
I
C
=1A, V
CE
=2V*
I
C
=1.5A, V
CE
=2V*
I
C
=3A, V
CE
=2V*
I
C
=5A, V
CE
=2V*
Transition Frequency
f
T
100
160
MHz
I
=50mA, V
CE
=10V
f=100MHz
Output Capacitance
C
obo
11.5
18
pF
V
CB
=10V, f=1MHz
Turn-On Time
t
(on)
86
ns
V
CC
=10V, I
=500mA
I
B1
=I
B2
=25mA
Turn-Off Time
t
(off)
1128
ns
*Measured under pulsed conditions. Pulse width
≤
300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMMT620TA | SuperSOT 80V NPN SILICON LOW SATURATION TRANSISTOR |
| FMMT620TC | SuperSOT 80V NPN SILICON LOW SATURATION TRANSISTOR |
| FMMT634 | NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR |
| FMMT6517 | NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
| FMMT723 | SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTORS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FMMT620_06 | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:SuperSOT⑩ 80V NPN SILICON LOW SATURATION TRANSISTOR |
| FMMT620TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 80V NPN SuperSOT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FMMT620TC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 80V NPN SuperSOT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FMMT624 | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:150V NPN SILICON LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT-23 |
| FMMT624TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN SuperSOT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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