參數(shù)資料
型號： FMMT619
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTORS
中文描述： 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SUPERSOT-3
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 308K
代理商： FMMT619
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
FMMT624
FMMT625
UNIT
CONDITIONS.
MIN.
TYP.
MAX. MIN.
TYP.
MAX.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
125
250
150
300
V
I
C
=100
μ
A
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
125
160
150
175
V
I
C
=10mA*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
5
8.3
5
8.3
V
I
E
=100
μ
A
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
100
100
nA
nA
V
CB
=100V
V
CB
=130V
Emitter Cut-Off
Current
I
EBO
100
100
nA
V
EB
=4V
Collector Emitter
Cut-Off Current
I
CES
100
100
nA
nA
V
CES
=100V
V
CES
=130V
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(SAT)
26
70
160
165
50
150
220
250
26
110
180
50
200
300
mV
mV
mV
mV
mV
I
C
=0.1A, I
B
=10mA*
I
C
=0.1A, I
B
=1mA*
I
C
=0.5A, I
B
=50mA*
I
C
=0.5A, I
B
=10mA*
I
C
=1A, I
B
=50mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(SAT)
0.85
1.0
0.85
1.0
V
I
C
=1A, I
B
=50mA*
Base-Emitter
Turn-On Voltage
V
BE(ON)
0.7
1.0
0.74
1.0
V
I
C
=1A, V
CE
=10V*
Static Forward
Current Transfer
Ratio
h
FE
200
300
100
400
450
140
18
200
300
30
400
450
45
15
I
C
=10mA, V
CE
=10V*
I
C
=0.2A, V
CE
=10V*
I
C
=1A, V
CE
=10V*
I
C
=3A, V
CE
=10V*
Transition
Frequency
f
T
100
155
100
135
MHz
I
C
=50mA, V
CE
=10V
f=100MHz
Output Capacitance
C
OBO
7
15
6
10
pF
V
CB
=10V, f=1MHz
Turn-On Time
t
(ON)
60
160
ns
V
CC
=50V, I
C
=0.5A
I
B1
=-I
B2
=50mA
Turn-Off Time
t
(OFF)
1300
1500
ns
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
FMMT624
FMMT625
3 - 155
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FMMT624 NPN SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTORS
FMMT625 NPN SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTORS
FMMT620 SuperSOT 80V NPN SILICON LOW SATURATION TRANSISTOR
FMMT620TA SuperSOT 80V NPN SILICON LOW SATURATION TRANSISTOR
FMMT620TC SuperSOT 80V NPN SILICON LOW SATURATION TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FMMT619 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-23
FMMT619-G 功能描述:NPN TRANSISTOR 2A 50V SOT-23 ROH 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):新產(chǎn)品 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:220mV @ 100mA, 2A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 2A，2V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
FMMT619QTA 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:50V NPN SILICON LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT23
FMMT619TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN SuperSOT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FMMT619TA-CUT TAPE 制造商:DIODES 功能描述:FMMT619 Series NPN 2 A 50 V Surface Mount Silicon Power Transistor - SOT-23
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*