參數(shù)資料
型號(hào)： FMMT591
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： SOT23 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
中文描述： SOT23封裝進(jìn)步黨中功率硅平面晶體管
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 130K
代理商： FMMT591
FMMT591
3 - 138
10A
1A
10mA
100mA
1mA
-55 °C
+25 °C
+100 °C
I
C
/I
B
=10
V
CE(sat)
v I
C
I
C
-Collector Current
I
C
-Collector Current
V
BE(sat)
v I
C
0
0.2
100mA
10mA
0.4
0.6
0.8
1.0
10A
1A
h
FE
V I
C
I
C
-Collector Current
1mA
100mA
10mA
10A
1A
100
0
300
200
400
10mA
1mA
I
C
-Collector Current
V
BE(on)
v I
C
100mA
1A
10A
0.6
0.8
1.0
1.2
0.4
0.2
0
I
C
-Collector Current
V
CE(sat)
v I
C
1mA
0
0.1
100mA
10mA
+25 ° C
0.2
0.3
0.4
0.5
I
C
/I
B
=10
10A
1A
+100 °C
-55 °C
+25 °C
+100 °C
-55 °C
+25 °C
-55 °C
+25 °C
+100 °C
I
C
/I
B
=10
V
CE
=5V
V
CE
=5V
10
1
0.1
Safe Operating Area
V
CE
- Collector Emitter Voltage (V)
0.1V
10V
100V
1s
DC
100ms
10ms
1ms
100us
1V
0
1mA
0.01
I
C
/I
B
=50
0.6
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
TYPICAL CHARACTERISTICS
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PDF描述
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FMMT593 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
FMMT596 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
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FMMT591ANTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FMMT591ANTC 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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