參數(shù)資料
型號(hào)： FMMBD4448HCDW
廠商： 江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司
英文描述： SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE ARRAYS
中文描述： 表面貼裝開關(guān)二極管陣列
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大小： 221K
代理商： FMMBD4448HCDW
WBFBP-06C
(2×2×0.5)
unit: mm
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
WBFBP-06C Plastic-Encapsulate Diode
FMMBD4448HCDW
SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE ARRAYS
DESCRIPTION
Silicon epitaxial planar
Switching Diode
FEATURES
z
Ultra-Small Surface Mount Package
z
Fast Switching Speed
z
High Conductance
APPLICATION
For General Purpose Switching Applications, rectifiers
For portable equipment:(i.e. Mobile phone,MP3, MD,CD-ROM,
DVD-ROM, Note book PC, etc.)
Maximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode @T
A
=25
MMBD4448HCDW
Parameter
Non-Repetitive Peak reverse voltage
Symbol
V
RM
Limits
100
Unit
V
Peak Repetitive peak reverse voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
V
RRM
V
RWM
V
R
80
V
RMS Reverse Voltage
Forward Continuous Current
Average Rectified Output Current
V
R(RMS)
I
FM
I
O
57
500
250
4.0
V
mA
mA
Non-Repetitive Peak forward surge current @=1.0μs
@=1.0s
I
FSM
2.0
A
Power Dissipation
Thermal Resistance Junction to Ambient
Junction temperature
Storage temperature range
Pd
R
θ
JA
T
J
T
STG
150
625
150
-65 to +150
mW
℃
/W
℃
℃
Electrical Ratings @T
A
=25
℃
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
Reverse Breakdown Voltage
V
R
80
V
I
R
=100
μ
A
V
F1
0.62
0.72
V
I
F
=5mA
V
F2
0.855
V
I
F
=10mA
V
F3
1.0
1.25
0.1
25
3.5
4
V
I
F
=100mA
Forward voltage
V
F4
V
I
F
=150mA
I
R1
μA
V
R
=70V
Reverse current
I
R2
nA
V
R
=20V
Capacitance between terminals
C
T
pF
V
R
=6V,f=1MHz
Reverse Recovery Time
t
rr
ns
V
R
=6V,I
F
=5mA
1
FMMBD4448HCDW
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FMMBD4448HSDW SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE ARRAYS
FMMBD4448HTW SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE ARRAYS
FMMDT5451 TRANSISTOR
FMMDT5451-WBFBP-06C TRANSISTOR
FMMT4124-SOT-23 TRANSISTOR（ NPN ）
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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