參數(shù)資料
型號(hào)： FMM75-01F
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFETTM Power MOSFET Phaseleg Topology in ISOPLUS i4-PACTM
中文描述： 75 A, 100 V, 0.021 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ISOPLUS, I4PAC-5
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 46K
代理商： FMM75-01F
2 - 2
2004 IXYS All rights reserved
4
FMM 75-01F
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")
Component
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
T
VJ
T
stg
-55...+175
-55...+125
°
C
°
C
V
ISOL
I
ISOL
≤
1 mA; 50/60 Hz
2500
V~
F
C
mounting force with clip
20...120
N
Symbol
Conditions
Characteristic Values
min.
typ.
max.
C
p
coupling capacity between shorted
pins and mounting tab in the case
40
pF
d
S
,d
A
d
S
,d
A
pin - pin
pin - backside metal
1.7
5.5
mm
mm
Weight
9
g
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PDF描述
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參數(shù)描述
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FMM7G20US60SI 功能描述:IGBT 模塊 Compact Module Complex RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMM7G20US60SN 功能描述:IGBT 模塊 Compact Module Complex RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMM7G30US60I 功能描述:IGBT 模塊 600V 30A Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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