參數(shù)資料
型號(hào)： FMM150-0075P
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Trench Power MOSFET Phaseleg Topology in ISOPLUS i4-PAC
中文描述： 150 A, 75 V, 0.0042 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ISOPLUS, I4PAC-5
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大小： 45K
代理商： FMM150-0075P
1 - 2
2004 IXYS All rights reserved
4
FMM 150-0075P
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
I
D25
V
DSS
R
DSon typ.
= 4.7 m
= 150 A
= 75 V
Trench Power MOSFET
Phaseleg Topology
in ISOPLUS i4-PAC
TM
1
5
Features
trench MOSFET
- very low on state resistance R
DSon
-
fast switching
ISOPLUS i4-PAC
TM
package
- isolated back surface
- low coupling capacity between pins
and heatsink
- enlarged creepage towards heatsink
- application friendly pinout
- low inductive current path
- high reliability
- industry standard outline
- UL registered E 72873
Applications
automotive
- AC drives - starter generator for 42V
etc.
- choppers - replacing series resistors
for DC drives, heating etc.
- DC-DC converters - between 12V
and 42V system etc.
- electronic switches -replacing relays
and fuses
power supplies
- DC-DC converters
- solar inverters
battery supplied systems
- choppers or inverters for drives in
hand held tools
- battery chargers
MOSFET T1/T2
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
V
DSS
T
VJ
= 25°C to T
VJmax
75
V
V
GS
±20
V
I
D25
I
D90
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
150
120
A
A
I
F25
I
F90
(body diode) T
C
= 25°C
(body diode) T
C
= 90°C
150
100
A
A
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T
VJ
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
R
DSon
V
GS
= 10 V;
I
D
= I
D90
4.7
6.2 m
V
GSth
V
DS
= 20 V;
I
D
= 1 mA
2
4
V
I
DSS
V
DS
= 75 V;
V
GS
= 0 V; T
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
10
μA
mA
0.1
I
GSS
V
GS
= ±20 V; V
DS
= 0 V
200
nA
Q
g
Q
gs
Q
gd
225
30
85
nC
nC
nC
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
60
165
320
195
ns
ns
ns
ns
V
F
(body diode) I
F
= 75 A;
V
GS
= 0 V
1.1
1.5
V
t
rr
(body diode) I
F
= 20A;
-di/dt = 100A/μs; V
DS
= 30V
90
ns
R
thJC
R
thJH
0.6 K/W
K/W
with heat transfer paste
1.0
V
GS
= 10 V; V
DS
= 60 V; I
D
= 50 A
V
= 10 V; V
= 30 V
I
D
= 25 A; R
G
= 10
Preliminary data
T1
T2
1
5
3
4
2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FMM200-004PL Trench Power MOSFET
FMM200-0075P Trench Power MOSFET
FMM300-0055P Trench Power MOSFET
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參數(shù)描述
FMM150-0075X2F 制造商:IXYS Corporation 功能描述:
FMM15DREF 功能描述:CONN EDGECARD 30POS .156 EYELET RoHS:是 類別:連接器，互連式 >> Card Edge 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 卡類型:非指定 - 雙邊 類型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:36 位置數(shù):72 卡厚度:0.062"（1.57mm） 行數(shù):2 間距:0.100"（2.54mm） 特點(diǎn):- 安裝類型:面板安裝 端子:焊接孔眼 觸點(diǎn)材料:磷青銅 觸點(diǎn)表面涂層:金 觸點(diǎn)涂層厚度:10µin（0.25µm） 觸點(diǎn)類型：:全波紋管 顏色:藍(lán) 包裝:管件 法蘭特點(diǎn):頂部安裝開口，螺紋插件，4-40 材料 - 絕緣體:聚對(duì)苯二甲酸丁二酯（PBT） 工作溫度:-65°C ~ 125°C 讀數(shù):雙
FMM15DREH 功能描述:CONN EDGECARD 30POS .156 EYELET RoHS:是 類別:連接器，互連式 >> Card Edge 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 卡類型:非指定 - 雙邊 類型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:36 位置數(shù):72 卡厚度:0.062"（1.57mm） 行數(shù):2 間距:0.100"（2.54mm） 特點(diǎn):- 安裝類型:面板安裝 端子:焊接孔眼 觸點(diǎn)材料:磷青銅 觸點(diǎn)表面涂層:金 觸點(diǎn)涂層厚度:10µin（0.25µm） 觸點(diǎn)類型：:全波紋管 顏色:藍(lán) 包裝:管件 法蘭特點(diǎn):頂部安裝開口，螺紋插件，4-40 材料 - 絕緣體:聚對(duì)苯二甲酸丁二酯（PBT） 工作溫度:-65°C ~ 125°C 讀數(shù):雙
FMM15DREI 功能描述:CONN EDGECARD 30POS .156 EYELET RoHS:是 類別:連接器，互連式 >> Card Edge 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 卡類型:非指定 - 雙邊 類型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:65 位置數(shù):130 卡厚度:0.062"（1.57mm） 行數(shù):2 間距:0.100"（2.54mm） 特點(diǎn):- 安裝類型:面板安裝 端子:焊接孔眼 觸點(diǎn)材料:銅鈹 觸點(diǎn)表面涂層:金 觸點(diǎn)涂層厚度:30µin（0.76µm） 觸點(diǎn)類型：:全波紋管 顏色:藍(lán) 包裝:管件 法蘭特點(diǎn):側(cè)面安裝開口，無螺紋，0.125"（3.18mm）直徑 材料 - 絕緣體:聚對(duì)苯二甲酸丁二酯（PBT） 工作溫度:-65°C ~ 125°C 讀數(shù):雙
FMM15DREN 功能描述:CONN EDGECARD 30POS .156 EYELET RoHS:是 類別:連接器，互連式 >> Card Edge 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 卡類型:非指定 - 雙邊 類型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:36 位置數(shù):72 卡厚度:0.062"（1.57mm） 行數(shù):2 間距:0.100"（2.54mm） 特點(diǎn):- 安裝類型:面板安裝 端子:焊接孔眼 觸點(diǎn)材料:磷青銅 觸點(diǎn)表面涂層:金 觸點(diǎn)涂層厚度:10µin（0.25µm） 觸點(diǎn)類型：:全波紋管 顏色:藍(lán) 包裝:管件 法蘭特點(diǎn):頂部安裝開口，螺紋插件，4-40 材料 - 絕緣體:聚對(duì)苯二甲酸丁二酯（PBT） 工作溫度:-65°C ~ 125°C 讀數(shù):雙
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