參數(shù)資料
型號： FMG2G50US60
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Arbitrary/Function Generator; Bandwidth Max:80MHz; Amplitude Accuracy :0.01dB; Frequency Max:80MHz; Frequency Min:0.1Hz; Waveforms:27 Built-in RoHS Compliant: NA
中文描述： 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： 7PM-GA, 7 PIN
文件頁數(shù)： 6/7頁
文件大?。?/td> 463K
代理商： FMG2G50US60
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
FMG2G50US120 Rev. A
F
Dimensions in Millimeters
Package Dimension
7PM-GA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FMG2G75US120 Molding Type Module
FMG2G75US60 Molding Type Module
FMKA130L Schottky Rectifier
FMKA130 1.2 Watt Power Dissipation Package 1.0 Ampere, Forward Voltage Less than 600mV
FMKA140 SCHOTTKY POWER RECTIFIER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FMG2G75US120 功能描述:IGBT 晶體管 1200V 75A IGBT Module RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FMG2G75US60 功能描述:IGBT 模塊 600V/75A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMG-3 制造商:ESSENTRA COMPONENTS 功能描述:FAN MNT GASKET COMBO BLACK 120MM 制造商:Richco 功能描述:FAN MNT GASKET COMBO BLACK 120MM
FMG-32R 制造商:SANKEN 制造商全稱:Sanken electric 功能描述:Ultra-Fast-Recovery Rectifier Diodes
FMG-32S 制造商:SANKEN 制造商全稱:Sanken electric 功能描述:Ultra-Fast-Recovery Rectifier Diodes
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