參數(shù)資料
型號： FMB3904
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN General Purpose Amplifier
中文描述： 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SUPERSOT-6
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大小： 77K
代理商： FMB3904
F
NPN General Purpose Amplifier
This device is designed as a general purpose amplifier and switch.
The useful dynamic range extends to 100 mA as a switch and to
100 MHz as an amplifier. Sourced from Process 23.
Absolute Maximum Ratings*
T
A
= 25°C unless otherwise noted
*
These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES
:
1)
These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2)
These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Symbol
Parameter
Value
Units
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
stg
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current - Continuous
Operating and Storage Junction Temperature Range
40
60
6.0
200
V
V
V
mA
°
C
-55 to +150
Discrete POWE R & Signal
Technologies
1998 Fairchild Semiconductor Corporation
Thermal Characteristics
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Symbol
Characteristic
Max
Units
FFB3904
300
2.4
415
FMB3904
700
5.6
180
MMPQ3904
1,000
8.0
P
D
Total Device Dissipation
Derate above 25
°
C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Effective 4 Die
Each Die
mW
mW/
°
C
°
C/W
°
C/W
°
C/W
R
θ
JA
125
240
FFB3904
SC70-6
Mark: .1A
C1
B2
E2
E1
B1
C2
pin #1
FMB3904
SuperSOT
-6
Mark: .1A
C1
E1
C2
B1
E2
B2
pin #1
MMPQ3904
SOIC-16
C1C1C2C2C3C3C4C4
E1
B1E2B2E3B3E4B4
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PDF描述
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參數(shù)描述
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FMB3906 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Multi-Chip Trans General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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FMB3946 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN & PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FMB3946_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN & PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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