參數(shù)資料
型號(hào)： FMB-34S
廠商： SANKEN ELECTRIC CO LTD
元件分類(lèi)： 參考電壓二極管
英文描述： Schottky Barrier Diodes 40V
中文描述： 12 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： FM80, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 62K
代理商： FMB-34S
FMB-24
Schottky Barrier Diodes
40V
Parameter
Type No.
Absolute Maximum Ratings
I
FSM
HalfSingle Shot
V
RM
(V)
I
F (AV)
V
F
(V)
I
F
(A)
I
/
I
RP
(mA)
Rth (j-c)
I
(mA)
V
=
V
max per element
I
(H)
(mA)
t
rr
(ns)
Tj
(
°
C)
Tstg
(
°
C)
Electrical Characteristics (Ta
=
25
°
C)
(
°
C/W)
(g)
Mass
Others
FMB-24
4.0
6.0
40
10.0
50
60
0.55
0.55
0.58
2.0
3.0
5.0
5.00
35
100
100/100
–40 to +150
4.0
2.1
2.0
5.5
FMB-24M
FMB-24L
FMB-24H
FMB-34S
A
B
7.5
7.50
50
6.0
5.00
35
7.5
10.00
65
15.0
20.00
100
15.0
100
12.0
75
15.0
150
30.0
300
FMB-34
FMB-34M
10
20
50
40
30
0 1
5
50
10
20ms
I
F
FMB-24M
FMB-24L
20
10
1
0.1
0.01
0
0.5
1.0
1.5
20
10
30
10
0.1
1
0.01
0.001
0
0
10
20
30
40
50
60
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1
0.1
0.01
0.001
50
10
1
0.1
0.01
0.001
0
20
40
50
60
10
30
10
20
60
30
40
50
0 1
5
50
10
20ms
I
F
10
20
60
30
40
50
0 1
5
50
10
20ms
I
F
3.3
0
3
1.35
10.0
4
4
0.85
2.54
2.54
4.2
2.8
C0.5
2.4
1
1
±
0
0.45
9.0
15.0
5
2
3
1
2
2
0
3.3
3.4
1.0
2.3
5.45
5.45
5.0
0.65
2.6
±
0
±
0
50
10
1
0.1
0.01
0
0.5
1.0
1.5
50
10
1
0.1
0.01
0.004
0
20
40
50
60
10
30
T
a
=
100oC
60oC
26oC
25oC
100oC
T
a
=
60oC
0
80
110
130
1
2
3
4
5
120
90
Case Temperature Tc
(
°
C)
100
t/T=
t/T=
D.C.
t/T=
Sinewave
0
80
110
130
1.2
2.4
3.6
4.8
6.0
120
90
Case Temperature Tc
(
°
C)
100
t/T=
t/T=
D.C.
t/T=
Sinewave
t/T=
t/T=
D.C.
t/T=
Sinewave
0
80
110
130
2
4
6
8
10
120
90
Case Temperature Tc
(
°
C)
100
T
a
125oC
=
100oC
60oC
27oC
27oC
100oC
T
a
=
60oC
T
a
=
100oC
60oC
25oC
100oC
T
a
=
60oC
26oC
94
V
=V
Ta=100
°
C
max per element
Fig.
max per
element
Forward Voltage V
F
(V)
F
F
(
V
F
—I
F
Characteristics
(Typical)
Overcurrent Cycles
I
FMS
Rating
P
F
(
Reverse Voltage V
R
(V)
R
R
(
V
R
—I
R
Characteristics
(Typical)
A
F
(
Tc—I
F(AV)
Derating
Forward Voltage V
F
(V)
F
F
(
V
F
—I
F
Characteristics
(Typical)
Overcurrent Cycles
I
FMS
Rating
P
F
(
Reverse Voltage V
R
(V)
R
R
(
V
R
—I
R
Characteristics
(Typical)
A
F
(
Tc—I
F(AV)
Derating
Forward Voltage V
F
(V)
F
F
(
V
F
—I
F
Characteristics
(Typical)
Overcurrent Cycles
I
FMS
Rating
P
F
(
Reverse Voltage V
R
(V)
R
R
(
V
R
—I
R
Characteristics
(Typical)
A
F
(
Tc—I
F(AV)
Derating
External Dimensions
(Unit: mm) (Full-mold)
Flammability:
UL94V-0 or Equivalent
A
Fig.
B
Fig.
+0.2
–0.1
+0.2
–0.1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FMB-26 Schottky Barrier Diodes 60V
FMB-G16L Schottky Barrier Diodes 60V
FMB-26L Schottky Barrier Diodes 60V
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FMB-26 Schottky Barrier Diodes
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FMB3904 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Multi-Chip Trans General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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