參數(shù)資料
型號： FM5820-B
廠商： 美麗微半導體有限公司
英文描述： Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type
中文描述： 肖特基二極管芯片-硅外延式龍門
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大小： 25K
代理商： FM5820-B
RECTRON
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES ( FM5820 THRU FM5822 )
FIG. 1 - TYPICAL FORWARD CURRENT DERATING CURVE
A
LEAD TEMPERATURE, ( )
Single Phase
Half Wave 60Hz
Resistive or
Inductive Load
0
20
40
60
80
100
120
140
4
3
2
1
0
FIG. 4 - TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
J
REVERSE VOLTAGE, ( V )
1000
800
600
400
200
100
80
60
20
10.1
.4
1.0
4
10
40
TJ = 25
FIG. 5 - TYPICAL INSTANTANEOUS
FORWARD CHARACTERISTICS
I
TJ = 25
1% Duty Cycle
FM5820
FM5821
FM5822
INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE, (V)
.2
.3
.4
.5
.6
.7
.8
.9
.1
1.0
10
20
FIG. 2 - TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS
I
T
J
= 125
T
J
= 75
FM5820
FM5821~FM5822
PERCENT OF RATED PEAK
REVERSE VOLTAGE, (%)
0
20
40
60
80
100 120 140
.001
.01
.1
1.0
10
FIG. 3 - MAXIMUM NON-REPETITIVE
FORWARD SURGE CURRENT
P
NUMBER OF CYCLE AT 60Hz
1
2
5
10
20
50
100
80
70
60
50
40
30
20
10
TL = 75
(JEDEC Method)
P.C.B Mounted on
0.4X0.4"(10X10mm)
copper pad areas
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PDF描述
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參數(shù)描述
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FM5820-W 功能描述:肖特基二極管與整流器 3A 20V.0.475vF RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
FM5821 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) SM Schot Bar Rect SMC,3A,30V,0.5vF RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
FM5821A 制造商:RECTRON 制造商全稱:Rectron Semiconductor 功能描述:SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER VOLTAGE RANGE 20 to 40 Volts CURRENT 3.0 Amperes
FM5821-AL 制造商:FORMOSA 制造商全稱:Formosa MS 功能描述:Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type
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