參數(shù)資料
型號(hào)： FM5818-L
廠商： 美麗微半導(dǎo)體有限公司
英文描述： Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type
中文描述： 肖特基二極管芯片-硅外延式龍門
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大小： 70K
代理商： FM5818-L
FM5817-L THRU FM5819-L
Features
Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O Utilizing Flame
Retardant Epoxy Molding Compound.
For surface mounted applications.
Exceeds environmental standards of ML-S-19500 /
228
Low leakage current.
Mechanical data
Case : Molded plastic, JEDECDO-214AC
Terminals : Solder plated, solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
Polarity : Indicated by cathode band
Mounting Position : Any
Weight : 0.0015 ounce, 0.05 gram
(V)
(V)
(V)
(V)
(
o
C)
FM5817-L
SK12
20
14
20
0.45
FM5818-L
SK13
30
21
30
0.55
FM5819-L
SK14
40
28
40
0.60
SYMBOLS
MARKING
CODE
-55 to +125
Operating
temperature
V
RRM
*1
V
RMS
*2
V
R
*3
V
F
*4
MAXIMUM RATINGS
(AT T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
PARAMETER
CONDITIONS
Symbol
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Forward rectified current
See Fig.2
I
O
1.0
A
Forward surge current
8.3ms single half sine-wave superimposed on
rate load (JEDEC methode)
I
FSM
30
A
V
R
= V
RRM
T
A
= 25
o
C
0.5
mA
V
R
= V
RRM
T
A
= 100
o
C
10
mA
Thermal resistance
Junction to ambient
R
q
JA
80
o
C / w
Diode junction capacitance
f=1MHz and applied 4vDC reverse voltage
C
J
130
pF
Storage temperature
T
STG
-55
+150
o
C
Reverse current
I
R
*1 Repetitive peak reverse voltage
*2 RMS voltage
*3 Continuous reverse voltage
*4 Maximum forward voltage
Chip Schottky Barrier Diodes
Silicon epitaxial planer type
Formosa MS
0.205(5.2)
0.189(4.8)
0.012(0.3) Typ.
0.110(2.8)
0.094(2.4)
0.181(4.6)
0.165(4.2)
0.075(1.9)
0.067(1.7)
0.040 (1.0) Typ.
0.040(1.0) Typ.
Dimensions in inches and (millimeters)
SMA-L
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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FM5822-AL Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type
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FM5820-A CONN HEADER .05 45X4PS GOLD SMD
FM6100-T Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type
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參數(shù)描述
FM5818-W 功能描述:肖特基二極管與整流器 Vr/30V Io/1A T/R RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
FM5818-W-S-NT 功能描述:二極管 - 通用，功率，開(kāi)關(guān) SM Schot Bar Rect SMA,1A,30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
FM5818-W-S-NT-W 功能描述:肖特基二極管與整流器 1A 30V Schottky NT RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
FM5819 功能描述:二極管 - 通用，功率，開(kāi)關(guān) SM Schot Bar Rect SMA,1A,40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
FM5819L 制造商:RECTRON 制造商全稱:Rectron Semiconductor 功能描述:SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
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