參數(shù)資料
型號(hào)： FM2G300US60
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Sweep Function Generator; Bandwidth Max:12MHz; Frequency Max:12MHz; Frequency Min:0.1Hz; Waveforms:Sine, Square, Triangle, Ramp, Pulse RoHS Compliant: NA
中文描述： 300 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： PLASTIC, 7PM-BB, 7 PIN
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大?。?/td> 696K
代理商： FM2G300US60
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FM2G300US60 Rev. A1
F
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C
= 125
℃
600A
300A
I
C
= 150A
C
Gate - Emitter Voltage, V
GE
[V]
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C
= 25
℃
600A
300A
I
C
= 150A
C
Gate - Emitter Voltage, V
GE
[V]
0
40
80
120
160
200
240
280
320
0.1
1
10
100
1000
Duty cycle : 50%
T
C
= 100
℃
Power Dissipation = 370W
V
CC
= 300V
Load Current : peak of square wave
Frequency [Khz]
L
0
30
60
90
120
150
0
1
2
3
4
5
600A
300A
I
C
= 150A
Common Emitter
V
GE
= 15V
C
Case Temperature, T
C
[
℃
]
0.3
1
10
20
0
50
100
150
200
250
300
350
400
Common Emitter
V
GE
= 15V
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
0
2
4
6
8
0
100
200
300
400
500
600
20V
12V
15V
V
GE
= 10V
Common Emitter
T
C
= 25
℃
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Saturation Voltage
Characteristics
Fig 3. Saturation Voltage vs. Case
Temperature at Variant Current Level
Fig 4. Load Current vs. Frequency
Fig 5. Saturation Voltage vs. V
GE
Fig 6. Saturation Voltage vs. V
GE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FM2G400US60 Signal Generator; Bandwidth Max:10MHz; Sweep Rate Range:100:1 lin/log; Sweep Time Range:0.5 Sec to 30 Sec; Accuracy:20Hz to 100kHz ( 3%)<Linebreak/>; 120/150kHz ( 5%); Battery Size Code:9V; Frequency Max:5MHz; Frequency Min:0.2Hz
FM3104-S Integrated Processor Companion with Memory
FM3116-S Integrated Processor Companion with Memory
FM31256-S Integrated Processor Companion with Memory
FM3164-S Integrated Processor Companion with Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FM2G400US60 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FM2G50US60 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FM2G75US60 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FM2-LAIRD 制造商:Laird Technologies Inc 功能描述:ANTENNA HARDWARE/ACCESSORY
FM2SP 功能描述:ACCY MOUNTING KIT HD 2.5 MAST RoHS:是 類別:RF/IF 和 RFID >> RF配件 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:*
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*