參數(shù)資料
型號： FM2G200US60
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： B&K 4012A REFURBISHED BY NEWARK SERVICES
中文描述： 200 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： PLASTIC, 7PM-BB, 7 PIN
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大?。?/td> 701K
代理商： FM2G200US60
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FM2G200US60 Rev. A1
F
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C
= 125
℃
400A
200A
I
C
= 100A
C
Gate - Emitter Voltage, V
GE
[V]
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C
= 25
℃
400A
200A
I
C
= 100A
C
Gate - Emitter Voltage, V
GE
[V]
0
30
60
90
120
150
180
210
240
0.1
1
10
100
1000
Duty cycle : 50%
T
= 100
℃
Power Dissipation = 250W
V
= 300V
Load Current : peak of square wave
Frequency [Khz]
L
0
30
60
90
120
150
0
1
2
3
4
5
400A
200A
I
C
= 100A
Common Emitter
V
GE
= 15V
C
Case Temperature, T
C
[
℃
]
0.3
1
10
20
0
50
100
150
200
250
300
350
400
Common Emitter
V
GE
= 15V
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
0
2
4
6
8
0
50
100
150
200
250
300
350
400
20V
12V
15V
V
GE
= 10V
Common Emitter
T
C
= 25
℃
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Saturation Voltage
Characteristics
Fig 3. Saturation Voltage vs. Case
Temperature at Variant Current Level
Fig 4. Load Current vs. Frequency
Fig 5. Saturation Voltage vs. V
GE
Fig 6. Saturation Voltage vs. V
GE
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