參數(shù)資料
型號(hào)： FM2G150US60
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Molding Type Module
中文描述： 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： PLASTIC, 7PM-BB, 7 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 6/9頁(yè)
文件大小： 687K
代理商： FM2G150US60
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FM2G150US60 Rev. A1
F
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
1E-3
0.01
0.1
1
T
C
= 25
℃
IGBT :
DIODE :
T
℃
/
Rectangular Pulse Duration [sec]
0
100
200
300
400
500
600
700
1
10
100
1000
Single Nonrepetitive
Pulse T
J
≤
125
℃
V
GE
= 15V
R
G
= 2.0
C
Collector-Emitter Voltage, V
CE
[V]
1
10
100
1000
1
10
100
500
Safe Operating Area
V
GE
= 20V, T
C
= 100
o
C
C
Collector-Emitter Voltage, V
CE
[V]
0.3
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
1000
Single Nonrepetitive
Pulse T
= 25
℃
Curves must be derated
linerarly with increase
in temperature
50us
100us
1
DC Operation
I
C
MAX. (Continuous)
I
C
MAX. (Pulsed)
C
Collector-Emitter Voltage, V
CE
[V]
0
100
200
300
400
500
600
700
0
3
6
9
12
15
200 V
V
CC
= 100 V
300 V
Common Emitter
R
L
= 2
T
C
= 25
℃
G
Gate Charge, Qg [ nC ]
20
40
60
80
100
120
140 150
100
1000
10000
Eon
Eoff
Eon
Eoff
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
R
G
= 2.0
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
S
Collector Current, I
C
[A]
Fig 14. Gate Charge Characteristics
Fig 13. Switching Loss vs. Collector Current
Fig 15. SOA Characteristics
Fig 16. Turn-Off SOA Characteristics
Fig 17. RBSOA Characteristics
Fig 18. Transient Thermal Impedance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FM2G200US60 B&K 4012A REFURBISHED BY NEWARK SERVICES
FM2G300US60 Sweep Function Generator; Bandwidth Max:12MHz; Frequency Max:12MHz; Frequency Min:0.1Hz; Waveforms:Sine, Square, Triangle, Ramp, Pulse RoHS Compliant: NA
FM2G400US60 Signal Generator; Bandwidth Max:10MHz; Sweep Rate Range:100:1 lin/log; Sweep Time Range:0.5 Sec to 30 Sec; Accuracy:20Hz to 100kHz ( 3%)<Linebreak/>; 120/150kHz ( 5%); Battery Size Code:9V; Frequency Max:5MHz; Frequency Min:0.2Hz
FM3104-S Integrated Processor Companion with Memory
FM3116-S Integrated Processor Companion with Memory
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參數(shù)描述
FM2G200US60 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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