參數(shù)資料
型號(hào)： FM220-LN
廠商： 美麗微半導(dǎo)體有限公司
英文描述： CONN HEADER .05 30POS DUAL SMD
中文描述： 肖特基二極管芯片-硅外延式龍門
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大?。?/td> 72K
代理商： FM220-LN
0.1
1.0
.01
10
50
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES (FM220-LN THRU FM2100-LN)
FIG.1-TYPICAL FORWARD CURRENT DERATING CURVE
AVERAGE FORWARD CURRENT,(A)
FIG.4-TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
REVERSE VOLTAGE,(V)
JUNCTION CAPACITANCE,(pF)
INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT,(A)
FORWARD VOLTAGE,(V)
Pulse Width 300us
1% Duty Cycle
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
700
600
500
400
300
200
100
0
.01 .05 .1 .5 1 5 10 50 100
.1 .3 .5 .7 .9 1.1 1.3 1.5
3.0
.1
1.0
10
100
FIG.5 - TYPICAL REVERSE
CHARACTERISTICS
REVERSE LEAKAGE CURRENT, (mA)
0 20 40 60 80 100 120 140
.01
Tj=75 C
FM220-LN~FM240-LN
FM250-LN~FM2100-LN
FM250-LN~FM260-LN
FM280-LN~FM2100-LN
FM220-LN~FM240-LN
Tj=25 C
Tj=25 C
AMBIENT TEMPERATURE,( C)
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
FIG.2-TYPICAL FORWARD
CHARACTERISTICS
PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE,(%)
FIG.3-MAXIMUM NON-REPETITIVE FORWARD
SURGE CURRENT
0
20
10
30
50
40
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz
1
10
5
50
100
Tj=25 C
8.3ms Single Half
Sine Wave
JEDEC method
PEAK FORWARD SURGE CURRENT,(A)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FM240-LN CONN HEADER .05 60POS DUAL T/H
FM250-LN Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type
FM280-LN Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type
FM230-L Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type
FM260-L Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type
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參數(shù)描述
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FM220-MH 制造商:FORMOSA 制造商全稱:Formosa MS 功能描述:Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type
FM220-N 制造商:FORMOSA 制造商全稱:Formosa MS 功能描述:Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type
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