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參數(shù)資料
| 型號： | FLM1011-12F |
| 廠商： | SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC. |
| 英文描述： | X, Ku-Band Internally Matched FET |
| 中文描述： | 十，Ku波段內(nèi)部匹配場效應(yīng)管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 251K |
| 代理商： | FLM1011-12F |
2
FLM1011-12F
X, Ku-Band Internally Matched FET
POWER DERATING CURVE
50
0
100
150
200
Case Temperature (
°
C)
60
45
30
15
T
OUTPUT POWER & IM3 vs. INPUT POWER
VDS=10V
f1 = 11.7 GHz
f2 = 11.71 GHz
2-tone test
19
23
21
25
27
29
Input Power (S.C.L.) (dBm)
S.C.L.: Single Carrier Level
O
-20
-30
-40
-50
31
29
27
33
35
25
I
IM3
Pout
OUTPUT POWER vs. FREQUENCY
10.8
Pin=36dBm
34dBm
32dBm
30dBm
28dBm
26dBm
24dBm
22dBm
20dBm
11.1
11.6
11.4
11.2
11.8
Frequency (GHz)
32
34
36
38
40
30
28
O
VDS=10V, P1dB
OUTPUT POWER vs. INPUT POWER
27
29
31
33
35
37
39
41
26
24
28
30
32
34
10
20
30
40
Input Power (dBm)
O
η
add
Pout
η
a
VDS=10V
f = 11.2 GHz
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FLM1011-15F | X,Ku-Band Internally Matched FET |
| FLM1011-20F | X,Ku-Band Internally Matched FET |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FLM1011-15F | 制造商:SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc 功能描述:High Power GaAs FETs, X-Band, 7dB, 10.7 11.7GHz, 4000mA, Bulk |
| FLM1011-20F | 制造商:EUDYNA 制造商全稱:Eudyna Devices Inc 功能描述:X,Ku-Band Internally Matched FET |
| FLM1011-3F | 制造商:EUDYNA 制造商全稱:Eudyna Devices Inc 功能描述:X, Ku-Band Internally Matched FET |
| FLM1011-4F | 制造商:EUDYNA 制造商全稱:Eudyna Devices Inc 功能描述:X, Ku-Band Internally Matched FET |
| FLM1011-6F | 制造商:SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc 功能描述:High Power GaAs FETs, X-Band, 7.5dB, 10.7 11.7GHz, 1650mA, Bulk |
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