- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄375831 > FLL600IQ-2 (FUJITSU LTD) Push-Pull Configuration, Broad Frequency Range: 800 to 2000 MHz, Suitable for class AB operation PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FLL600IQ-2 |
| 廠商： | FUJITSU LTD |
| 元件分類(lèi)： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Push-Pull Configuration, Broad Frequency Range: 800 to 2000 MHz, Suitable for class AB operation |
| 中文描述： | L BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET |
| 封裝： | CASE IQ, 5 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 100K |
| 代理商： | FLL600IQ-2 |
VDS = 12V
IDS = 4.0A
f = 1.96GHz
VDS = 12V
IDS = 4.0A
f = 1.96GHz
19
21
23
25
27
29
31
33
37
35
39
33
35
31
37
39
41
43
45
49
10
20
30
40
50
60
47
35
37
39
41
43
45
47
49
Input Power (dBm)
O
Pout
OUTPUT POWER &
η
add vs. INPUT POWER
1.8
1.85
1.9
1.95
2.0
2.05
1.75
Frequency (GHz)
O
η
a
η
add
Pin=38dBm
30dBm
35dBm
25dBm
OUTPUT POWER vs. FREQUENCY
POWER DERATING CURVE
40
80
100
120
140
60
20
0
50
100
150
200
Case Temperature (
°
C)
T
FLL600IQ-2
2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FLL600IQ-3 | L-Band Medium & High Power GaAs FET |
| FLL810IQ-3C | L-Band High Power GaAs FET |
| FLL810IQ-4C | L-Band High Power GaAs FET |
| FLLD261 | HIGH CONDUCTANCE LOW LEAKAGE DIODE |
| FLLD261 | SILICON PLANAR LOW LEAKAGE SERIES DIODE PAIR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FLL600IQ-2C | 制造商:EUDYNA 制造商全稱(chēng):Eudyna Devices Inc 功能描述:L-Band High Power GaAs FET |
| FLL600IQ-3 | 制造商:SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc 功能描述:L-Band Power GaAs FET (48.0dBm@2.76GHz), Bulk |
| FLL800IQ-2C | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:L-Band High Power GaAs FET |
| FLL810IQ-3C | 制造商:FUJITSU 功能描述: |
| FLL810IQ-4C | 制造商:EUDYNA 制造商全稱(chēng):Eudyna Devices Inc 功能描述:L-Band High Power GaAs FET |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。