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參數(shù)資料
| 型號： | FLL410IK-4C |
| 廠商： | FUJITSU LTD |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | L-Band High Power GaAs FET |
| 中文描述： | L BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET |
| 封裝： | HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
| 文件頁數(shù)： | 2/6頁 |
| 文件大小： | 248K |
| 代理商： | FLL410IK-4C |
FLL410IK-4C
L-Band High Power GaAs FET
2
OUTPUT POWER vs. INPUT POWER
IMD vs. TOTAL OUTPUT POWER
VDS=12V, f=3.6GHz,
f=5MHz
OUTPUT POWER , POWER ADDED EFFICIENCY
vs. TOTAL INPUT POWER
Pin=22dBm
Pin=26dBm
Pin=30dBm
Pin=34dBm
Pin=38dBm
P.A.E
Pout
IM3
IM5
2A
3A
5A
2A
3A
5A
32
34
36
38
40
42
44
46
48
21 23 25 27 29 31 33 35 37 39
Input Power [dBm]
O
0
10
20
30
40
50
60
70
80
P
VDS=12V, IDS(DC)=3A, f=3.6GHz
32
34
36
38
40
42
44
46
48
3.3
3.4
3.5
3.6
3.7
3.8
Frequency [GHz]
O
VDS=12V, IDS(DC)=3A
-60
-56
-52
-48
-44
-40
-36
-32
-28
-24
-20
24 26 28 30 32 34 36 38 40 42 44
Total Output Power [dBm]
I
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FLL57MK | L-Band Medium & High Power GaAs FET |
| FLL600IQ-2C | L-Band High Power GaAs FET |
| FLL600IQ-2 | Push-Pull Configuration, Broad Frequency Range: 800 to 2000 MHz, Suitable for class AB operation |
| FLL600IQ-3 | L-Band Medium & High Power GaAs FET |
| FLL810IQ-3C | L-Band High Power GaAs FET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FLL500IQ-2 | 制造商:FUJITSU 功能描述: |
| FLL500IQ-3 | 制造商:FUJITSU 功能描述: |
| FLL57MK | 制造商:SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc 功能描述:Single-end,L-Band, 11.5dB, 2.3GHz, 990mA, Bulk |
| FLL600IQ-2 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:Push-Pull Configuration, Broad Frequency Range: 800 to 2000 MHz, Suitable for class AB operation |
| FLL600IQ-2C | 制造商:EUDYNA 制造商全稱:Eudyna Devices Inc 功能描述:L-Band High Power GaAs FET |
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