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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FLL410IK-3C |
| 廠商： | SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC. |
| 英文描述： | L-Band High Power GaAs FET |
| 中文描述： | L波段高功率GaAs場(chǎng)效應(yīng)管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 241K |
| 代理商： | FLL410IK-3C |
32
34
36
38
40
42
44
46
48
2.35
2.45
2.55
2.65
2.75
2.85
Frequency [GHz]
O
VDS=12V, IDS(DC)=3A
FLL410IK-3C
L-Band High Power GaAs FET
2
OUTPUT POWER vs. INPUT POWER
IMD vs. TOTAL OUTPUT POWER
VDS=12V, f=2.6GHz, Df=5MHz
OUTPUT POWER , POWER ADDED EFFICIENCY
vs. TOTAL INPUT POWER
Pin=22dBm
Pin=26dBm
Pin=30dBm
Pin=34dBm
Pin=36dBm
2A
IM3
IM5
3A
5A
2A
3A
5A
32
34
36
38
40
42
44
46
48
21
23
25
27
29 31
33
35
37
Input Power [dBm]
O
0
10
20
30
40
50
60
70
80
P
VDS=12V, IDS(DC)=3A, f=2.6GHz
-60
-56
-52
-48
-44
-40
-36
-32
-28
-24
-20
24 26 28 30 32 34 36 38 40 42 44
Total Output Power [dBm]
I
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FLL410IK-4C | L-Band High Power GaAs FET |
| FLL57MK | L-Band Medium & High Power GaAs FET |
| FLL600IQ-2C | L-Band High Power GaAs FET |
| FLL600IQ-2 | Push-Pull Configuration, Broad Frequency Range: 800 to 2000 MHz, Suitable for class AB operation |
| FLL600IQ-3 | L-Band Medium & High Power GaAs FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FLL410IK-4C | 制造商:SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc 功能描述:L-Band High Power GaAs FET (46dBm@3.7GHz), Bulk |
| FLL500IQ-2 | 制造商:FUJITSU 功能描述: |
| FLL500IQ-3 | 制造商:FUJITSU 功能描述: |
| FLL57MK | 制造商:SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc 功能描述:Single-end,L-Band, 11.5dB, 2.3GHz, 990mA, Bulk |
| FLL600IQ-2 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:Push-Pull Configuration, Broad Frequency Range: 800 to 2000 MHz, Suitable for class AB operation |
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