參數(shù)資料
型號(hào)： FLL21E060IY
廠商： SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC.
英文描述： L,S-band High Power GaAs FET
中文描述： 升，S波段高功率GaAs場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大小： 305K
代理商： FLL21E060IY
FLL21E060IY
L,S-band High Power GaAs FET
4
■
S-Parameters @ V
DS
=28V, I
DS
=630mA, f=1.0 to 3.0 GHz
S11
S22
2.0GHz
2.1
2.0GHz
25
2.2
2.2
2.1
0
∞
+10j
+25j
+50j
+100j
+250j
-10j
-25j
-50j
-100j
-250j
10
Ω
S12
S21
0.4
-90°
0.2
8
±180°
0°
+90°
Scale for |S
21
|
2.1
S
S
1
|
2.0GHz
4
2.2
2.0GHz
2.1
2.2
[GHz]
S11(mag) S11(ang)
0.961
0.957
0.953
0.949
0.943
0.933
0.911
0.881
0.833
0.749
0.609
0.263
0.242
0.252
0.306
0.378
0.457
0.531
0.596
0.645
0.696
0.730
0.859
0.894
0.916
0.923
0.927
0.936
0.932
0.928
S21(mag) S21(ang)
0.480
0.468
0.479
0.512
0.571
0.665
0.830
1.091
1.532
2.331
3.889
6.931
7.194
7.389
7.360
7.291
7.041
6.706
6.274
5.836
5.392
4.968
2.285
1.271
0.835
0.595
0.459
0.384
0.332
0.311
S12(mag) S12(ang)
0.002
0.003
0.003
0.005
0.005
0.007
0.009
0.011
0.015
0.022
0.034
0.052
0.053
0.053
0.052
0.051
0.048
0.044
0.041
0.037
0.035
0.030
0.012
0.006
0.002
0.001
0.001
0.002
0.003
0.003
S22(mag) S22(ang)
0.933
0.935
0.930
0.932
0.928
0.915
0.908
0.885
0.850
0.829
0.815
0.654
0.599
0.541
0.478
0.419
0.382
0.373
0.388
0.421
0.461
0.503
0.754
0.838
0.884
0.905
0.918
0.925
0.925
0.918
1
-176.42
-176.29
-176.44
-176.61
-177.14
-178.20
-179.23
179.01
177.08
174.48
171.95
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4.24
-0.94
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137.94
129.48
121.87
114.90
108.68
69.86
50.96
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29.68
22.97
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11.02
6.31
70.01
71.76
69.92
75.49
71.35
66.87
58.53
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36.71
17.53
-13.62
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1.34
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-53.66
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-138.74
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-145.09
-146.72
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
2
2.1
2.11
2.12
2.13
2.14
2.15
2.16
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2.18
2.19
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2.8
2.9
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