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參數(shù)資料
| 型號： | FLL21E045IY |
| 廠商： | SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC. |
| 英文描述： | L,S-band High Power GaAs FET |
| 中文描述： | 升，S波段高功率GaAs場效應管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/6頁 |
| 文件大小： | 301K |
| 代理商： | FLL21E045IY |
2
Output Power & Drain Efficiency vs. Input Power
V
DS
=28V, I
DS
=500mA, f=2.14GHz
50
Output Power vs. Frequency
V
DS
=28V, I
DS
=500mA
FLL21E045IY
L,S-band High Power GaAs FET
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
Input Power [dBm]
O
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
D
Pout
η
d
Two-Carrier IMD(ACLR) vs. Output Power
V
DS
=28V, I
DS
=500mA, f
0
=2.135, f
1
=2.145GHz
W-CDMA 3-GPP BS-1 64ch Modulation
Single-Carrier ACLR vs. Output Power
V
DS
=28V, I
DS
=500mA, f
0
=2.135GHz
W-CDMA 3GPP BS-1 64ch Modulation
36
38
40
42
44
46
48
50
2.10
2.12
2.14
2.16
2.18
2.20
Frequncy [GHz]
O
Pin=22dBm
Pin=28dBm
Pin=24dBm
Pin=30dBm
Pin=26dBm
Pin=32dBm
-60
-55
-50
-45
-40
-35
-30
-25
24 26 28 30 32 34 36 38 40 42 44
Output Power[dBm]
I
5
10
15
20
25
30
35
40
D
IM3
IM5
Drain Efficiency
-60
-55
-50
-45
-40
-35
-30
-25
24 26 28 30 32 34 36 38 40 42 44
Output Power[dBm]
A
5
10
15
20
25
30
35
40
D
+/-5MHz
+/-10MHz
Drain Efficiency
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FLL21E060IY | L,S-band High Power GaAs FET |
| FLL21E090IK | High Voltage - High Power GaAs FET |
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| FLL21E135IX | L,S-band High Power GaAs FET |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| FLL21E090IK | 制造商:EUDYNA 制造商全稱:Eudyna Devices Inc 功能描述:High Voltage - High Power GaAs FET |
| FLL21E090IY | 制造商:EUDYNA 制造商全稱:Eudyna Devices Inc 功能描述:L,S-band High Power GaAs FET |
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