參數(shù)資料
型號: FKN08PN40
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 晶閘管
英文描述: TRIAC (Silicon Bidirectional Thyristor)
中文描述: 400 V, 0.8 A, TRIAC, TO-92
封裝: TO-92, 3 PIN
文件頁數(shù): 2/7頁
文件大?。?/td> 249K
代理商: FKN08PN40
2
www.fairchildsemi.com
FKN08PN40 Rev. A
F
Electrical Characteristics
T
C
= 25°C unless otherwise noted
Commutation dv/dt Test
Symbol
I
DRM
I
RRM
V
TM
Parameter
Test Condition
Min.
-
Typ.
-
Max.
100
Units
μ
A
Repetieive Peak Off-State Current
V
DRM
/V
RRM
applied
On-State Voltage
T
C
=25
°
C, I
TM
=1.12A
Instantaneous measurement
-
-
1.8
V
V
GT
Gate Trigger Voltage
I
II
III
I
II
III
V
D
=12V, R
L
=100
T2(+), Gate (+)
T2(+), Gate (-)
T2(-), Gate (-)
T2(+), Gate (+)
T2(+), Gate (-)
T2(-), Gate (-)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2.0
2.0
2.0
5
5
5
-
15
15
20
-
V
V
V
I
GT
Gate Trigger Current
V
D
=12V, R
L
=100
mA
mA
mA
V
mA
mA
mA
V/
μ
s
V
GD
I
H
I
L
Gate Non-Trigger Voltage
Holding Current (I, II,III)
Latching Current
T
J
=125
°
C, V
D
=1/2V
DRM
V
D
= 12V, I
TM
= 200mA
V
D
= 12V, I
G
= 10mA
0.2
-
-
-
20
I, III
II
dv/dt(s)
Critical Rate of Rise of
Off-State Voltag
Critical-Rate of Rise of Off-State Com-
mutating Voltage (di/dt=-0.7A/mS)
V
DRM
= 63% Rated, T
j
= 125
°
C,
Exponential Rise
dv/dt(c)
3.0
-
-
V/
μ
s
V
DRM
(V)
Test Condition
Commutating voltage and current waveforms
(inductive load)
FKN08PN40
1. Junction Temperature
T
J
=125
°
C
2. Rate of decay of on-state
commutating current (di/dt)
C
3. Peak off-state voltage
V
D
= 200V
Supply Voltage
Main Current
Main Voltage
Time
Time
Time
V
D
(dv/dt)
C
(di/dt)
C
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PDF描述
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參數(shù)描述
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FKN08PN60 功能描述:雙向可控硅 TBD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流(Ih 最大值):45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
FKN08PN60S 功能描述:雙向可控硅 TRIAC Silicon Bi Directional Thyristr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流(Ih 最大值):45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
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