參數(shù)資料
型號(hào)： FJY3012R
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN Epitaxial Silicon Transistor
中文描述： 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-523F, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 263K
代理商： FJY3012R
2
www.fairchildsemi.com
FJY3012R Rev. A
F
Typical Performance Characteristics
Figure 1. DC current Gain
Figure 2. Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 3. Power Derating
1
10
100
10
100
1000
V
= 5V
R = 47K
h
F
,
I
C
[mA], COLLECTOR CURRENT
1
10
100
1
10
100
1000
I
= 10I
B
R = 47K
V
C
(
I
C
[mA], COLLECTOR CURRENT
0
25
50
75
100
125
150
175
0
40
80
120
160
200
240
280
P
C
[
T
a
[
o
C], AMBIENT TEMPERATURE
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PDF描述
FJY3013R NPN Epitaxial Silicon Transistor
FJY3014R NPN Epitaxial Silicon Transistor
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參數(shù)描述
FJY3013R 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 Trans Pre-Biased NPN 50V R1_2.2K R2_4 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
FJY3014R 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 Trans Pre-Biased NPN 50V R1_4.7K R2_4 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
FJY3015R 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 Trans Pre-Biased NPN 50V R1_2.2K R2_1 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
FJY4001R 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 Trans Pre-Biased PNP 50V R1_4.7K R2_4 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
FJY4002R 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 Trans Pre-Biased PNP 50V R1_10K R2_10 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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