型號: | FJV4106R |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | 小信號晶體管 |
英文描述: | PNP Epitaxial Silicon Transistor |
中文描述: | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封裝: | SOT-23, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 2/4頁 |
文件大?。?/td> | 89K |
代理商: | FJV4106R |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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FJV4107R | PNP Epitaxial Silicon Transistor |
FJV4108R | PNP Epitaxial Silicon Transistor |
FJV4109R | PNP Epitaxial Silicon Transistor |
FJV4110R | PNP Epitaxial Silicon Transistor |
FJV4111R | PNP Epitaxial Silicon Transistor |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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FJV4106RMTF | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 50V/100mA/10K 47K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
FJV4106RMTF_Q | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 50V/100mA/10K 47K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
FJV4107R | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP Epitaxial Silicon Transistor |
FJV4107RMTF | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 50V/100mA/22K 47K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
FJV4107RMTF_Q | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 50V/100mA/22K 47K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |