參數(shù)資料
型號: FJV4106R
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: PNP Epitaxial Silicon Transistor
中文描述: 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: SOT-23, 3 PIN
文件頁數(shù): 2/4頁
文件大?。?/td> 89K
代理商: FJV4106R
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Rev. A, July 2002
Typical Characteristics
Figure 1. DC current Gain
Figure 2. Input On Voltage
Figure 3. Input Off Voltage
Figure 4. Power Derating
-0.1
-1
-10
-100
1
10
100
1000
V
CE
= - 5V
R
1
= 10K
R
2
= 47K
h
F
,
I
C
[mA], COLLECTOR CURRENT
-0.1
-1
-10
-100
-0.1
-1
-10
-100
V
CE
=- 0.3V
R
1
= 10K
R
2
= 47K
V
I
(
I
C
[mA], COLLECTOR CURRENT
-0.1
-0.3
-0.5
-0.7
-0.9
-1.1
-1.3
-1.5
-1.7
-1.9
-2.1
-1
-10
-100
-1k
-10k
V
CE
= - 5V
R
1
= 10K
R
2
= 47K
I
C
μ
A
V
I
(off)[V], INPUT OFF VOLTAGE
0
25
50
75
100
125
150
175
0
50
100
150
200
250
300
350
400
P
C
[
T
a
[
o
C], AMBIENT TEMPERATURE
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PDF描述
FJV4107R PNP Epitaxial Silicon Transistor
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參數(shù)描述
FJV4106RMTF 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 50V/100mA/10K 47K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
FJV4106RMTF_Q 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 50V/100mA/10K 47K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
FJV4107R 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP Epitaxial Silicon Transistor
FJV4107RMTF 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 50V/100mA/22K 47K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
FJV4107RMTF_Q 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 50V/100mA/22K 47K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel