參數(shù)資料
型號： FJV3111R
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN Epitaxial Silicon Transistor
中文描述： 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大小： 45K
代理商： FJV3111R
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, August 2002
F
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
P
C
Collector Power Dissipation
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
h
FE
DC Current Gain
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
C
ob
Output Capacitance
Parameter
Value
40
40
5
100
200
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
Test Condition
I
C
=100
μ
A, I
E
=0
I
E
=1mA, I
B
=0
V
CB
=30V, I
E
=0
V
CE
=5V, I
C
=1mA
I
C
=10mA, I
B
=1mA
V
CB
=10V, I
E
=0
f=1MHz
V
CE
=10V, I
C
=5mA
Min.
40
40
Typ.
Max.
Units
V
V
μ
A
0.1
600
0.3
100
V
pF
3.7
f
T
R
Current Gain Bandwidth Product
Input Resistor
250
22
MHz
K
15
29
FJV3111R
Switching Application
(Bias Resistor Built In)
Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit
Built in bias Resistor (R=22K
)
Complement to FJV4111R
Equivalent Circuit
B
E
C
R
R31
Marking
SOT-23
1. Base 2. Emitter 3. Collector
1
2
3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FJV3112R 2-Wire Meter 277Vac Red LED RoHS Compliant: Yes
FJV3113R NPN Epitaxial Silicon Transistor
FJV3114R NPN Epitaxial Silicon Transistor
FJV3115R NPN Epitaxial Silicon Transistor
FJV4101R PNP Epitaxial Silicon Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FJV3111RMTF 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 NPN/40V/100mA/22K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
FJV3111RMTF_Q 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 NPN/40V/100mA/22K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
FJV3112R 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Epitaxial Silicon Transistor
FJV3112RMTF 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 NPN/40V/100mA/47K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
FJV3112RMTF_Q 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 NPN/40V/100mA/47K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*