型號: | FJNS4210R |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | 小信號晶體管 |
英文描述: | PNP Epitaxial Silicon Transistor |
中文描述: | 100 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封裝: | TO-92S, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 4/4頁 |
文件大小: | 32K |
代理商: | FJNS4210R |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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FJNS4211R | PNP Epitaxial Silicon Transistor |
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FJNS7565 | For Output Amplifier of Electronic Flash Unit |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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FJNS4210RBU | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 PNP/50V/100mA/10K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
FJNS4210RBU_Q | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 PNP/50V/100mA/10K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
FJNS4210RTA | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
FJNS4211R | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP Epitaxial Silicon Transistor |
FJNS4211RBU | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 PNP/40/100mA/22K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |