型號: | FJNS3212R |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | 小信號晶體管 |
英文描述: | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
中文描述: | 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封裝: | TO-92S, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 3/3頁 |
文件大小: | 26K |
代理商: | FJNS3212R |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
FJNS3213R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
FJNS3214R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
FJNS3215R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
FJNS4201R | PNP Epitaxial Silicon Transistor |
FJNS4202R | PNP Epitaxial Silicon Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
FJNS3212RBU | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 NPN/40V/100mA/47K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
FJNS3212RBU_Q | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 NPN/40V/100mA/47K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
FJNS3212RTA | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
FJNS3213R | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Epitaxial Silicon Transistor |
FJNS3213RBU | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 50V/100mA/2.2K 47K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |