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參數資料
| 型號： | FJNS3209R |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| 中文描述： | 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-92S, 3 PIN |
| 文件頁數： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 33K |
| 代理商： | FJNS3209R |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Rev. A, August 2002
Typical Characteristics
Figure 1. DC current Gain
Figure 2. Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 3. Power Derating
0.1
1
10
100
10
100
1000
10000
V
= 5V
R = 4.7K
h
F
,
I
C
[mA], COLLECTOR CURRENT
1
10
100
1
10
100
1000
I
C
= 10I
B
R = 4.7K
V
C
(
I
C
[mA], COLLECTOR CURRENT
0
25
50
75
100
125
150
175
0
50
100
150
200
250
300
350
400
P
C
[
T
a
[
o
C], AMBIENT TEMPERATURE
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FJNS3210R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJNS3211R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJNS3212R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJNS3213R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJNS3214R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FJNS3209RBU | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 NPN/40V/100mA/4.7K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| FJNS3209RBU_Q | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 NPN/40V/100mA/4.7K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| FJNS3209RTA | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| FJNS3210R | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJNS3210RBU | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 NPN/40V/100mA/10K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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