參數(shù)資料
型號： FJD5304DTF
廠商： Fairchild Semiconductor
文件頁數(shù)： 5/6頁
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描述： TRANS SWITCHING FAST HV DPAK
產(chǎn)品目錄繪圖： DPAK, D2PAK Package
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1
晶體管類型： NPN
電流 - 集電極 (Ic)（最大）： 4A
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）： 400V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）： 1.5V @ 500mA，2.5A
電流 - 集電極截止（最大）： 100µA
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)： 8 @ 2A，5V
功率 - 最大： 30W
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝： D-Pak
包裝： 標(biāo)準(zhǔn)包裝
產(chǎn)品目錄頁面： 1601 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱： FJD5304DTFDKR
FJD5304D
—
Hig
h
V
o
lt
age
F
ast
Switching
T
ransistor
2010 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
FJD5304D Rev. A1
5
Mechanical Dimensions
Dimensions in Millimeters
D-PAK
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VI-J0Z-EZ CONVERTER MOD DC/DC 2V 10W
AT-S-26-4/4/B-7-R MOD CORD STANDARD 4-4 BLACK 7'
GCC15DRAS CONN EDGECARD 30POS R/A .100 SLD
MAX1879EUA+ IC CHARGER LI+ PULSE 8UMAX
EBC31DRTF CONN EDGECARD 62POS DIP .100 SLD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FJD5304DTM 功能描述:兩極晶體管 - BJT High Voltage Fast SWITCHING TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJD5553 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Silicon Transistor
FJD5553TM 功能描述:兩極晶體管 - BJT High Volt Fast Switching Trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJD5555 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Silicon Transistor
FJD5555TM 功能描述:兩極晶體管 - BJT High Volt Fast Switching Trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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