參數(shù)資料
型號(hào)： FJAF6916
廠(chǎng)商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-5015; Body Material:Metal; Series:GT; No. of Contacts:3; Connector Shell Size:16S; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Box Mount Receptacle; Body Style:Straight
中文描述： 16 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-3PF, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大?。?/td> 112K
代理商： FJAF6916
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B, August 2001
F
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current (DC)
I
CP
*
Collector Current (Pulse)
P
C
Collector Dissipation
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
* Pulse Test: PW=300
μ
s, duty Cycle=2% Pulsed
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
I
CES
Collector Cut-off Current
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
h
FE1
h
FE2
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
t
STG
*
Storage Time
t
F
*
Fall Time
* Pulse Test: PW=20
μ
s, duty Cycle=1% Pulsed
Thermal Characteristics
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
R
θ
jC
Thermal Resistance, Junction to Case
Parameter
Rating
1700
800
6
16
30
60
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
A
A
W
°
C
°
C
Test Conditions
V
CB
=1400V, R
BE
=0
V
CB
=800V, I
E
=0
V
EB
=4V, I
C
=0
I
C
=500
μ
A, I
E
=0
I
C
=5mA, I
B
=0
I
E
=500
μ
A, I
C
=0
V
CE
=5V, I
C
=1A
V
CE
=5V, I
C
=8.5A
I
C
=10A, I
B
=2.5A
I
C
=10A, I
B
=2.5A
V
CC
=200V, I
C
=8A, R
L
=25
I
B1
=1.6A, I
B2
=-3.2A
Min
Typ
Max
1
10
1
Units
mA
μ
A
mA
V
V
V
1700
800
6
10
6
DC Current Gain
9
3
V
V
μ
s
μ
s
1.5
4
0.3
Parameter
Typ
Max
2.08
Units
°
C/W
High Voltage Color Display Horizontal
Deflection Output
High Collector-Base Breakdown Voltage : BV
CBO
= 1700V
Low Saturation Voltage : V
CE
(sat) = 3V (Max.)
For Color Monitor
FJAF6916
TO-3PF
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FJAF6920 High Voltage Color Display Horizontal Deflection Output
FJB102 High Voltage Power Darlington Transistor
FJC1308 PNP Epitaxial Silicon Transistor
FJC1386 PNP Epitaxial Silicon Transistor
FJC1386P TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | SOT-89
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FJAF6916TU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Tripple Diff Planar RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJAF6920 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:High Voltage Color Display Horizontal Deflection Output
FJAF6920ATU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Triple Diffused Planar Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJAF6920TU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Tripple Diff Planar RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJAFS1510A 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:ESBCa?￠ Rated NPN Power Transistor
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