- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄375799 > FJAF6806D (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | FJAF6806D |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor |
| 中文描述： | 6 A, 750 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-3PF, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 83K |
| 代理商： | FJAF6806D |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, July 2002
F
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current (DC)
I
CP
*
Collector Current (Pulse)
P
C
Collector Dissipation
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
* Pulse Test: Pulse Width=5ms, Duty Cycle < 10%
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
I
CES
Collector Cut-off Current
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
BV
EBO
Base-Emitter Breakdown Voltage
h
FE1
h
FE2
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
V
F
Damper Diode Turn On Voltage
t
STG
*
Storage Time
t
F
*
Fall Time
* Pulse Test: PW=20
μ
s, duty Cycle=1% Pulsed
Thermal Characteristics
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
R
θ
jC
Thermal Resistance, Junction to Case
Parameter
Rating
1500
750
6
6
12
50
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
A
A
W
°
C
°
C
Test Conditions
V
CB
=1400V, R
BE
=0
V
CB
=800V, I
E
=0
V
EB
=4V, I
C
=0
I
E
=300mA, I
C
=0
V
CE
=5V, I
C
=1A
V
CE
=5V, I
C
=4A
I
C
=4A, I
B
=1A
I
C
=4A, I
B
=1A
I
F
= 4.5A
V
CC
=200V, I
C
=4A, R
L
=50
I
B1
=1.0A, I
B2
= - 2.0A
Min
Typ
Max
1
10
200
Units
mA
μ
A
mA
V
40
6
8
4
DC Current Gain
7
5
V
V
V
μ
s
μ
s
1.5
2
3
0.2
Parameter
Typ
Max
2.5
Units
°
C/W
FJAF6806D
High Voltage Color Display Horizontal
Deflection Output (Damper Diode Built In)
High Collector-Base Breakdown Voltage : BV
CBO
= 1500V
High Switching Speed : t
F
(typ.) =0.1
μ
s
For Color TV
1.Base 2.Collector 3.Emitter
C
B
E
50
typ.
Equivalent Circuit
TO-3PF
1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FJAF6808D | GT 3C 3#12 SKT RECP BOX |
| FJAF6810D | GT 4C 2#16 2#12 PIN RECP BOX |
| FJAF6810 | GT 3C 3#12 SKT RECP BOX |
| FJAF6812 | NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor |
| FJAF6815 | NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FJAF6806DTU | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 NPN Si Transistor Tripple Diff Planar RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| FJAF6806DYDTBTU | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 1550V/750V/10A/NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| FJAF6808D | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor |
| FJAF6808DTU | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 NPN Si Transistor Tripple Diff Planar RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| FJAF6808DYDTU | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 NPN Si Transistor Tripple Diff Planar RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。