型號(hào): | FGH30N6S2D |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | IGBT 晶體管 |
英文描述: | 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode |
中文描述: | 45 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
文件頁(yè)數(shù): | 4/12頁(yè) |
文件大?。?/td> | 281K |
代理商: | FGH30N6S2D |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
FGP30N6S2D | Switch Mode Power Supply; Output Power:198W; No. of Outputs:1; Output 1 VDC +:3VDC; Output Current 1:60A; Power Supply Mounting:Chassis; Output Current:60A; Output Power Max:198W; Output Voltage:3VDC; Series:JWS RoHS Compliant: Yes |
FGB30N6S2D | 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode |
FGH30N6S2 | 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT |
FGP30N6S2 | 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT |
FGB30N6S2 | 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
FGH30N6S2D | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT N TO-247 |
FGH30S130P | 功能描述:IGBT 晶體管 1300V 30A FS SA Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
FGH30T65UPDT_F155 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT 650V 30A TRENCH TO-247-3 |
FGH40N120AN | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:1200V NPT IGBT |
FGH40N120ANTU | 功能描述:IGBT 晶體管 1200V NPT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |