參數(shù)資料
型號(hào): FGA40N60UFD
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: Ultrafast IGBT
中文描述: 40 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: TO-3PN, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 6/8頁(yè)
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代理商: FGA40N60UFD
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FGA40N60UFD Rev. A
F
100
1000
20
40
60
80
100
120
V
= 200V
I
F
= 15A
T
C
= 25
T
C
= 100
R
r
di/dt [A/us]
100
1000
1
10
100
V
R
= 200V
I
F
= 15A
T
C
= 25
T
C
= 100
R
r
di/dt [A/us]
100
1000
0
200
400
600
800
V
= 200V
I
F
= 15A
T
C
= 25
T
C
= 100
S
[
di/dt [A/us]
1
10
100
0
1
2
3
T
C
= 25
T
C
= 100
Forward Voltage Drop, V
F
[V]
F
Fig 19. Reverse Recovery Current
Fig 18. Forward Characteristics
Fig 20. Stored Charge
Fig 21. Reverse Recovery Time
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FGAF40N60UF Ultrafast IGBT
FH10A-6S-1SH 6 CONTACT(S), FEMALE, RIGHT ANGLE FFC/FPC CONNECTOR, SURFACE MOUNT
FH10A-8S-1SH 8 CONTACT(S), FEMALE, RIGHT ANGLE FFC/FPC CONNECTOR, SURFACE MOUNT
FH21-8S-1DSA 8 CONTACT(S), FEMALE, STRAIGHT FFC/FPC CONNECTOR, SOLDER
FH21 FFC/FPC CONNECTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FGA40N60UFDTU 功能描述:IGBT 晶體管 Ultrafast IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FGA40N65SMD 功能描述:IGBT 晶體管 650V, 40A Field Stop IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FGA42-25B 制造商:AVC 功能描述: 制造商:AVX Corporation 功能描述:
FGA42-25G 制造商:AVC 功能描述:
FGA42-30B 制造商:AVC 功能描述: