參數(shù)資料
型號(hào)： FGA25N120AN
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT
中文描述： 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： TO-3P, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/7頁(yè)
文件大?。?/td> 460K
代理商： FGA25N120AN
FGA25N120AN Rev. A
F
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
0.1
1
10
100
1000
0
10
20
30
40
50
Vcc = 600V
load Current : peak of square wave
Duty cycle : 50%
Tc = 100
℃
Powe Dissipation = 60W
L
Frequency [kHz]
25
50
75
100
125
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
Common Emitter
V
GE
= 15V
40A
I
C
= 25A
C
C
Case Temperature, T
C
[
℃
]
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
40A
25A
Common Emitter
T
C
= 25
℃
I
C
= 12.5A
C
C
Gate-Emitter Voltage, V
GE
[V]
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
40A
25A
Common Emitter
T
C
= 125
℃
I
C
= 12.5A
C
C
Gate-Emitter Voltage, V
GE
[V]
0
2
4
6
0
20
40
60
80
100
120
Common Emitter
V
GE
= 15V
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
C
C
Collector-Emitter Voltage, V
CE
[V]
0
2
4
6
8
10
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
20V
17V
15V
12V
V
GE
= 10V
T
C
= 25
℃
C
C
Collector-Emitter Voltage, V
CE
[V]
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Saturation Voltage
Characteristics
Fig 3. Saturation Voltage vs. Case
Temperature at Variant Current Level
Fig 4. Load Current vs. Frequency
Fig 5. Saturation Voltage vs. V
GE
Fig 6. Saturation Voltage vs. V
GE
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PDF描述
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FH10A-8S-1SH 8 CONTACT(S), FEMALE, RIGHT ANGLE FFC/FPC CONNECTOR, SURFACE MOUNT
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