參數(shù)資料
型號(hào)： FFM106
廠商： 美麗微半導(dǎo)體有限公司
英文描述： Fast recovery type
中文描述： 快速恢復(fù)類型
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大?。?/td> 53K
代理商： FFM106
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
49A–2/2
FFM101 – FFM107
1A
RATING & CHARACTERISTIC CURVES OF 1A FAST RECOVERY SMA DIODES
FIG. 2 – TYPICAL FORWARD
CURRENT DERATING CURVE
AMBIENT TEMPER ATURE, (oC)
+0.5A
0
-0.25A
-1.0A
1cm
Trr
NOTES:1.Rise Time=7ns max.
Input Impedance=1megohm.22pF.
2.Rise Time=10ns max.
Source Impedance=50 ohms.
(+)
PULSE
GENERATOR
(NOTE 2)
(-)
D.U.T.
OSCILLOSCOPE
(NOTE 1)
1
NON.
INDUCTIVE
(2(-)
50
10
NONINDUCTIVE
NONINDUCTIVE
FIG.1–TEST CIRCUIT DIAGRAM AND
REVERSE RECOVERY TIME CHARACTERISTIC
SET TIME
A
BASE FOR 50/100ns/cm
25
50
75
100
125
150
175
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
0
Single Phase
8.3ms Single Half Sine-Wave
(JEDEC Method)
1
5
10
50
100
50
40
30
20
10
0
.4
.6
.8
1.0
1.2
1.4
1.6
100
10
1.0
0
T
J
=25oC
Pulse Width=300
μ
s
1% Duty Cycle
.1
.2
.4
1.0
2
4
10
20
40
100
200
100
60
40
20
10
6
4
2
1
T
J
=25oC
FIG. 5 – TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
FIG. 4 – MAXINUM NON-REPETITIVE
FOWARD SURGE CURRENT
J
REVERSE VOLTAGE,(V)
P
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz
FIG. 3 – TYPICAL INSTANTANEOUS
FORWARD CHARACTERISTICS
INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE,(V)
I
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